Elegir la memoria óptima para una computadora portátil: OCZ Value Series. Configuración de prueba y técnica de overclocking.
Parte 26: Módulos de alta velocidad de las series OCZ Titanium y SLI-Ready (PC2-6400, PC2-7200 y PC2-8000)
Seguimos explorando las características críticas de los módulos DDR2 de alta velocidad utilizando un conjunto de pruebas universal. Hoy veremos las ofertas de alta velocidad de OCZ: tres conjuntos de módulos de memoria de 2 GB de doble canal de las series Titanium y SLI-Ready de categorías de velocidad PC2-6400, PC2-7200 y PC2-8000:
- OCZ DDR2 PC2-6400 Titanio preparado para EPP (OCZ2T8002GK, DDR2-800 4-4-4-1T)
- OCZ DDR2 PC2-7200 Edición lista para SLI (OCZ2N900SR2GK, DDR2-900 4-4-3-2T)
- OCZ DDR2 PC2-8000 Titanio Alpha VX2 (OCZ2TA1000VX22GK, DDR2-1000 4-4-4-2T)
Fabricante del módulo: Tecnología OCZ
Fabricante del chip del módulo: desconocido
Sitio web del fabricante del módulo: apariencia del módulo
OCZ DDR2 PC2-6400
OCZ DDR2 PC2-7200
OCZ DDR2 PC2-8000
Número de pieza de los módulos
No hay ningún manual para decodificar el número de pieza de los módulos de memoria DDR2 en el sitio web del fabricante (durante su estudio, solo se descubrió un manual obsoleto dedicado a los módulos de memoria DDR). Por tanto, nos limitaremos únicamente breve descripción módulos presentados en las respectivas páginas de productos.
OCZ DDR2 PC2-6400
Los módulos son compatibles con el estándar EPP, que permite un rendimiento óptimo del módulo en placas base con conjuntos de chips NVIDIA nForce 590 SLI. El contenido del EPP está programado para el modo DDR2-800 con tiempos bastante bajos 4-4-4-1T, es decir. Los módulos son capaces de operar con retrasos en la interfaz de comando de 1T (1 comando/1 ciclo de reloj), lo que aumenta significativamente el rendimiento del subsistema de memoria. Los módulos están equipados con disipadores de calor XTC (Xtreme Thermal Convection) recubiertos de titanio para una disipación de calor eficiente.
OCZ DDR2 PC2-7200
Los módulos también son compatibles con el estándar EPP, mientras que el contenido de esta parte del chip SPD está programado para el modo DDR2-900 con un esquema de sincronización 4-4-3. Según el fabricante, estos módulos están equipados con el exclusivo sistema de disipación de calor NVIDIA XTC (tanto en términos de eficiencia como de apariencia, “correspondiente” al nivel de rendimiento de los módulos).
OCZ DDR2 PC2-8000
A diferencia de los dos primeros representantes, los módulos no admiten el estándar EPP. Los módulos pertenecen a una familia especial de módulos Voltage Xtreme, diseñados para funcionar con altos voltajes de suministro (lo que les permite alcanzar velocidades que no son posibles con niveles de voltaje convencionales). Este modelo diseñado para el modo DDR2-1000 con retrasos 4-4-4, lo que se logra elevando el voltaje de suministro a 2,3 V y se posiciona como una solución de alta gama para jugadores extremos y overclockers. La disipación de calor de los módulos XTC mediante un revestimiento de titanio resistente a los arañazos también es una solución exclusiva, esta vez en su combinación de colores (ver foto). Cada módulo Titanium Alpha tiene una combinación de colores única y cambia su tono de color según la iluminación y el ángulo de visión.
Descripción de la norma general SPD:
Descripción del estándar SPD específico para DDR2:
Descripción del estándar EPP:
OCZ DDR2 PC2-6400
| Parámetro | Byte | Significado | Descodificación |
|---|---|---|---|
| Tipo de memoria fundamental | 2 | 08h | SDRAM DDR2 |
| 3 | 0eh | 14 (RA0-RA13) | |
| 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) | |
| 5 | 61h | 2 bancos fisicos | |
| 6 | 40h | 64 bits | |
| Nivel de tensión de alimentación | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| 9 | 25h | 2,50 ns (400,0 MHz) | |
| Tipo de configuración del módulo | 11 | 00h | No ECC |
| 12 | 82h | ||
| 13 | 08h | x8 | |
| 14 | 00h | Indefinido | |
| 16 | 0 canales | BL = 4,8 | |
| 17 | 04h | 4 | |
| 18 | 38h | CL = 5, 4, 3 | |
| 23 | 30h | 3,00 ns (333,3 MHz) | |
| 25 | 37h | 3,70 ns (270,3 MHz) | |
| 27 | 32h | 12,5 segundos 5.00, CL = 5 4,17, CL = 4 3,37, CL = 3 |
|
| 28 | 28h | 10,0 ns 4,00, CL = 5 3,33, CL = 4 2,70, CL = 3 |
|
| 29 | 32h | 12,5 segundos 5.00, CL = 5 4,17, CL = 4 3,37, CL = 3 |
|
| 30 | 25h | 37,0 ns 14,80, CL = 5 12,33, CL = 4 10.00, CL = 3 |
|
| 31 | 80h | 512 megas | |
| 36 | 3 canales | 15,0 ns 6.00, CL = 5 5.00, CL = 4 4,05, CL = 3 |
|
| 37 | 1Eh | 7,5 segundos 3,00, CL = 5 2,50, CL = 4 2,02, CL = 3 |
|
| 38 | 1Eh | 7,5 segundos 3,00, CL = 5 2,50, CL = 4 2,02, CL = 3 |
|
| 41, 40 | 37h, 00h | 55,0 ns 22.00, CL = 5 18,33, CL = 4 14,86, CL = 3 |
|
| 42, 40 | 69h, 00h | 105,0 ns 42,00, CL = 5 35.00, CL = 4 28,38, CL = 3 |
|
| 43 | 80h | 8,0 ns | |
| Número de revisión del SPD | 62 | 23h | Revisión 2.3(?) |
| Byte de suma de comprobación 0-62 | 63 | BFh | 191 (correcto) |
| 64-71 | 7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh, B0h | OCZ | |
| Número de pieza del módulo | 73-90 | - | OCZ2T8001G |
| Fecha de producción del módulo | 93-94 | 06h, 26h | 2006, 38 semanas |
| Número de serie del módulo | 95-98 | 00h, 00h, 00h, 00h | Indefinido |
Según SPD, los valores de retardo de señal CAS# admitidos son 5, 4 y 3. El primer valor (CL X = 5) corresponde a un período de reloj de 2,5 ns (frecuencia 400 MHz), es decir. Modo DDR2-800. El esquema de tiempo para este caso no está completamente representado por valores enteros y se puede escribir como 5-5-5-14.8, que, teniendo en cuenta el redondeo más probable, corresponde al esquema estándar 5-5-5- 15. El valor de retardo CAS# reducido (CL X-1 = 4) corresponde al modo DDR2-667 (tiempo de ciclo 3,0 ns, frecuencia 333,3 MHz) con un esquema de temporización no entero 4-4,17-4,17-12,33, que, teniendo en cuenta redondeo de cuentas, se puede escribir como 4- 5-5-13. Finalmente, la latencia CAS# reducida dos veces (CL X-2 = 3) corresponde a una grabación algo errónea pero común del modo DDR2-533 con un tiempo de ciclo de 3,7 ns (frecuencia 270,3 MHz) en lugar del valor nominal de 3,75 ns. (frecuencia 266,7 MHz). El esquema de tiempos para este caso es 3-3,37-3,37-10, teniendo en cuenta el redondeo: 3-4-4-10.
El código de identificación del fabricante, la fecha de fabricación y el número de pieza del módulo son correctos, mientras que la información sobre número de serie Falta el módulo. Además, resulta un tanto alarmante el extraño significado de la revisión SPD 23h, que formalmente corresponde al inexistente número de revisión del estándar “2.3”.
Dado que estos módulos admiten la extensión EPP, veamos ahora la información contenida en esta parte "no estándar" del SPD, representada por los bytes 99-127 del contenido del SPD.
| Parámetro | Byte(s) (bits) | Significado | Descodificación |
|---|---|---|---|
| Cadena de identificación EPP | 99-101 | 4E566Dh | Soporta SPD EPP |
| Tipo de perfil EPP | 102 | A1h | Perfiles cortos |
| 103 (1:0) | 00h | Perfil 0 | |
| Perfiles utilizados | 103 (7:4) | 01h | Perfil 0: presente Perfil 1: ninguno Perfil 2: ninguno Perfil 3: ninguno |
| Perfil nº 0 | |||
| Nivel de tensión de alimentación | 104 (6:0) | 08h | 2,0 V |
| Retraso en la transmisión de dirección (Tasa CMD de dirección) | 104 (7) | 00h | 1T |
| Tiempo de ciclo (tCK) | 105 | 25h | 2,50 ns (400,0 MHz) |
| Retraso CAS# (t CL) | 106 | 10h | 4 |
| Retardo mínimo entre RAS# y CAS# (t RCD) | 107 | 28h | 10,0 ns (4,0) |
| Tiempo mínimo de recarga de datos seguidos (t RP) | 108 | 28h | 10,0 ns (4,0) |
| Duración mínima del pulso de la señal RAS# (t RAS) | 109 | 25h | 37,0 ns (14,8) |
La información del EPP se presenta en forma de perfiles abreviados, cuyo número máximo posible es 4, mientras que en realidad solo hay datos sobre el primero de estos perfiles (perfil No. 0), que, por supuesto, está marcado como “óptimo”. ”. La información contenida en este perfil abreviado es muy limitada y se presenta en su totalidad en la tabla anterior. Estos son datos sobre el voltaje de suministro del módulo: 2,0 V, retardo de la interfaz de comando (1T), tiempo de ciclo (2,5 ns, frecuencia del bus de memoria 400 MHz, modo DDR2-800) y tiempos estándar (4-4-4-14,8, teniendo en cuenta redondeo de cuenta 4-4-4-15). Opciones adicionales No hay ningún ajuste de la sincronización y las características eléctricas del funcionamiento del subsistema de memoria en el contenido del perfil EPP "reducido", lo que, en nuestra opinión, arroja dudas sobre sus principales ventajas. Probablemente el fabricante del módulo simplemente no prestó suficiente atención. sintonia FINA estas características. Veremos a qué nos llevó esto en el curso de nuestro estudio de los módulos, pero por ahora pasemos a considerar el SPD del siguiente representante.
OCZ DDR2 PC2-7200
| Parámetro | Byte | Significado | Descodificación |
|---|---|---|---|
| Tipo de memoria fundamental | 2 | 08h | SDRAM DDR2 |
| Número total de líneas de dirección de línea de módulo | 3 | 0eh | 14 (RA0-RA13) |
| Número total de líneas de dirección de columna del módulo | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
| Número total de bancos físicos del módulo de memoria. | 5 | 61h | 2 bancos fisicos |
| Bus de datos del módulo de memoria externa | 6 | 40h | 64 bits |
| Nivel de tensión de alimentación | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| Duración mínima del período de reloj (t CK) con retardo máximo CAS# (CL X) | 9 | 25h | 2,50 ns (400,0 MHz) |
| Tipo de configuración del módulo | 11 | 00h | No ECC |
| Tipo y método de regeneración de datos. | 12 | 82h | 7,8125 ms: autorregeneración reducida 0,5 veces |
| Ancho de la interfaz del bus de datos externo (tipo de organización) de los chips de memoria utilizados | 13 | 08h | x8 |
| Ancho de la interfaz del bus de datos externo (tipo de organización) de los chips de memoria del módulo ECC utilizados | 14 | 00h | Indefinido |
| Duración de los paquetes transmitidos (BL) | 16 | 0 canales | BL = 4,8 |
| Número de bancos lógicos de cada chip en el módulo | 17 | 04h | 4 |
| Longitudes de retraso admitidas CAS# (CL) | 18 | 38h | CL = 5, 4, 3 |
| Duración mínima del período de reloj (t CK) con retraso de CAS# reducido (CL X-1) | 23 | 3Dh | 3,75 ns (266,7 MHz) |
| Duración mínima del período de reloj (t CK) con retraso de CAS# reducido (CL X-2) | 25 | 00h | Indefinido |
| Tiempo mínimo de recarga de datos seguidos (t RP) | 27 | 32h | 12,5 segundos 5.00, CL = 5 3,33, CL = 4 Indefinido, CL = 3 |
| Retraso mínimo entre activación de filas adyacentes (t RRD) | 28 | 1Eh | 7,5 segundos 3,00, CL = 5 2,00, CL = 4 Indefinido, CL = 3 |
| Retardo mínimo entre RAS# y CAS# (t RCD) | 29 | 32h | 12,5 segundos 5.00, CL = 5 3,33, CL = 4 Indefinido, CL = 3 |
| Duración mínima del pulso de la señal RAS# (t RAS) | 30 | 25h | 37,0 ns 14,80, CL = 5 9,87, CL = 4 Indefinido, CL = 3 |
| Capacidad de un banco de memoria física. | 31 | 80h | 512 megas |
| Período de recuperación después del registro (t WR) | 36 | 3 canales | 15,0 ns 6.00, CL = 5 4,00, CL = 4 Indefinido, CL = 3 |
| Retardo interno entre los comandos WRITE y READ (t WTR) | 37 | 1Eh | 7,5 segundos 3,00, CL = 5 2,00, CL = 4 Indefinido, CL = 3 |
| Retardo interno entre los comandos READ y PRECHARGE (t RTP) | 38 | 1Eh | 7,5 segundos 3,00, CL = 5 2,00, CL = 4 Indefinido, CL = 3 |
| Tiempo mínimo de ciclo de hilera (t RC) | 41, 40 | 37h, 00h | 55,0 ns 22.00, CL = 5 14,86, CL = 4 Indefinido, CL = 3 |
| Periodo entre comandos de autorregeneración (t RFC) | 42, 40 | 69h, 00h | 105,0 ns 42,00, CL = 5 28,38, CL = 4 Indefinido, CL = 3 |
| Duración máxima del período de reloj (t CK max) | 43 | 80h | 8,0 ns |
| Número de revisión del SPD | 62 | 12h | Revisión 1.2 |
| Byte de suma de comprobación 0-62 | 63 | 2Ah | 42 (correcto) |
| Código de identificación del fabricante JEDEC | 64-71 | 7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh, B0h | OCZ |
| Número de pieza del módulo | 73-90 | - | OCZ2N900SR1G |
| Fecha de producción del módulo | 93-94 | 00h, 00h | Indefinido |
| Número de serie del módulo | 95-98 | 00h, 00h, 00h, 00h | Indefinido |
Los valores de retardo de señal CAS# admitidos son 5, 4 y 3, sin embargo, los valores de los períodos de reloj se indican solo para los dos primeros valores: principal (CL X = 5) y reducido (CL X-1 = 4). ). El primer valor (CL X = 5) corresponde a un período de reloj de 2,5 ns (frecuencia 400 MHz), es decir Modo DDR2-800. El esquema de tiempo para este caso se puede escribir como valores no enteros 5-5-5-14,8, teniendo en cuenta el redondeo más probable: 5-5-5-15. El segundo valor (CL X-1 = 4) corresponde al modo DDR2-533 algo obsoleto (tiempo de ciclo 3,75 ns, frecuencia 266,7 MHz) con un esquema de temporización no entero 4-3,33-3,33-9,87, que, teniendo en cuenta redondeo, se puede escribir como 4-4 -4-10. Como señalamos anteriormente, el valor dos veces reducido del retraso CAS# (CL X-2 = 3) no corresponde a ningún modo significativo de funcionamiento de los módulos, lo que definitivamente es un error.
El código de identificación del fabricante y el número de pieza del módulo son correctos, pero falta información sobre la fecha de fabricación y el número de serie de los módulos. Estos módulos también admiten extensiones EPP, por lo que revisaremos la información contenida en esta parte de la SPD a continuación.
| Parámetro | Byte(s) (bits) | Significado | Descodificación |
|---|---|---|---|
| Cadena de identificación EPP | 99-101 | 4E566Dh | Soporta SPD EPP |
| Tipo de perfil EPP | 102 | B1h | Perfiles avanzados |
| Perfil de rendimiento óptimo | 103 (1:0) | 01h | Perfil 1 |
| Perfiles utilizados | 103 (7:4) | 03h | Perfil 0: presente Perfil 1: presente |
| Perfil nº 0 | |||
| Nivel de tensión de alimentación | 104 (6:0) | 14h | 2,3 V |
| Retraso en la transmisión de dirección (Tasa CMD de dirección) | 104 (7) | 01h | 2T |
| Tiempo de ciclo (tCK) | 109 | 22h | 2,20 ns (454,5 MHz) |
| Retraso CAS# (t CL) | 110 | 10h | 4 |
| Retardo mínimo entre RAS# y CAS# (t RCD) | 111 | 23h | 8,75 ns (3,98) |
| Tiempo mínimo de recarga de datos seguidos (t RP) | 112 | 19h | 6,25 ns (2,84) |
| Duración mínima del pulso de la señal RAS# (t RAS) | 113 | 21h | 33,0 ns (15,00) |
| Período de recuperación después del registro (t WR) | 114 | 28h | 10,0 ns (4,55) |
| Tiempo mínimo de ciclo de hilera (t RC) | 115 | 32h | 50,0 ns (22,73) |
| Perfil nº 1 | |||
| Nivel de tensión de alimentación | 116 (6:0) | 14h | 2,3 V |
| Retraso en la transmisión de dirección (Tasa CMD de dirección) | 117 (7) | 01h | 2T |
| Tiempo de ciclo (tCK) | 121 | 22h | 2,20 ns (454,5 MHz) |
| Retraso CAS# (t CL) | 122 | 10h | 4 |
| Retardo mínimo entre RAS# y CAS# (t RCD) | 123 | 21h | 8,25 ns (3,75) |
| Tiempo mínimo de recarga de datos seguidos (t RP) | 124 | 19h | 6,25 ns (2,84) |
| Duración mínima del pulso de la señal RAS# (t RAS) | 125 | 1Fh | 31.00 ns (14.09) |
| Período de recuperación después del registro (t WR) | 126 | 30h | 12.00 ns (5.45) |
| Tiempo mínimo de ciclo de hilera (t RC) | 127 | 2 canales | 44,00 ns (20,00) |
El contenido del PPE parece bastante interesante. A diferencia de los módulos OCZ DDR2 PC2-6400 comentados anteriormente con perfiles EPP “reducidos”, los módulos OCZ DDR2 PC2-7200 en cuestión contienen en su parte EPP información sobre dos perfiles “extendidos” (No. 0 y No. 1), ambos de que son válidos, pero corresponden... aproximadamente al mismo modo de funcionamiento(!), salvo pequeñas diferencias. Es decir, en ambos perfiles, el modo de funcionamiento de los módulos es el modo "DDR2-900" (frecuencia - aproximadamente 454,5 MHz, tiempo de ciclo 2,2 ns) con una tensión de alimentación de 2,3 V (que corresponde a las especificaciones del fabricante) y una interfaz de comando Valor de retardo de 2T. Solo difieren ligeramente los esquemas de sincronización de la memoria principal, que en el primer caso se pueden representar como 4-3.98-2.84-15 (4-4-3-15 cuando se redondea hacia arriba), y en el segundo, como 4-3.75-2.84- 14.09. Al redondear estos valores, también obtenemos un esquema 4-4-3-15 (que coincide con el declarado por el fabricante), sin embargo, los perfiles EPP también difieren algo en los valores de “otros” tiempos como t WR y t RC. Sea como fuere, se eligió el perfil nº 1 como perfil “óptimo”.
El contenido del SPD de los módulos OCZ DDR2 PC2-7200 que se analizan (incluidas las extensiones EPP) es claramente diferente del contenido del SPD (y EPP) de los módulos OCZ DDR2 PC2-6400 discutidos anteriormente. De una forma u otra, en ambos casos existen imprecisiones e incluso errores evidentes. Por lo tanto, el enfoque de OCZ para programar datos SPD resulta muy peculiar, si no muy descuidado. Finalmente, veamos el contenido SPD del último representante: los módulos OCZ DDR2 PC2-8000, que está representado solo por la parte "estándar" debido a la falta de soporte para extensiones EPP.
OCZ DDR2 PC2-8000
| Parámetro | Byte | Significado | Descodificación |
|---|---|---|---|
| Tipo de memoria fundamental | 2 | 08h | SDRAM DDR2 |
| Número total de líneas de dirección de línea de módulo | 3 | 0eh | 14 (RA0-RA13) |
| Número total de líneas de dirección de columna del módulo | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
| Número total de bancos físicos del módulo de memoria. | 5 | 61h | 2 bancos fisicos |
| Bus de datos del módulo de memoria externa | 6 | 40h | 64 bits |
| Nivel de tensión de alimentación | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| Duración mínima del período de reloj (t CK) con retardo máximo CAS# (CL X) | 9 | 25h | 2,50 ns (400,0 MHz) |
| Tipo de configuración del módulo | 11 | 00h | No ECC |
| Tipo y método de regeneración de datos. | 12 | 82h | 7,8125 ms: autorregeneración reducida 0,5 veces |
| Ancho de la interfaz del bus de datos externo (tipo de organización) de los chips de memoria utilizados | 13 | 08h | x8 |
| Ancho de la interfaz del bus de datos externo (tipo de organización) de los chips de memoria del módulo ECC utilizados | 14 | 00h | Indefinido |
| Duración de los paquetes transmitidos (BL) | 16 | 0 canales | BL = 4,8 |
| Número de bancos lógicos de cada chip en el módulo | 17 | 04h | 4 |
| Longitudes de retraso admitidas CAS# (CL) | 18 | 38h | CL = 5, 4, 3 |
| Duración mínima del período de reloj (t CK) con retraso de CAS# reducido (CL X-1) | 23 | 30h | 3,00 ns (333,3 MHz) |
| Duración mínima del período de reloj (t CK) con retraso de CAS# reducido (CL X-2) | 25 | 37h | 3,70 ns (270,3 MHz) |
| Tiempo mínimo de recarga de datos seguidos (t RP) | 27 | 32h | 12,5 segundos 5.00, CL = 5 4,17, CL = 4 3,37, CL = 3 |
| Retraso mínimo entre activación de filas adyacentes (t RRD) | 28 | 28h | 10,0 ns 4,00, CL = 5 3,33, CL = 4 2,70, CL = 3 |
| Retardo mínimo entre RAS# y CAS# (t RCD) | 29 | 32h | 12,5 segundos 5.00, CL = 5 4,17, CL = 4 3,37, CL = 3 |
| Duración mínima del pulso de la señal RAS# (t RAS) | 30 | 25h | 37,0 ns 14,80, CL = 5 12,33, CL = 4 10.00, CL = 3 |
| Capacidad de un banco de memoria física. | 31 | 80h | 512 megas |
| Período de recuperación después del registro (t WR) | 36 | 3 canales | 15,0 ns 6.00, CL = 5 5.00, CL = 4 4,05, CL = 3 |
| Retardo interno entre los comandos WRITE y READ (t WTR) | 37 | 1Eh | 7,5 segundos 3,00, CL = 5 2,50, CL = 4 2,02, CL = 3 |
| Retardo interno entre los comandos READ y PRECHARGE (t RTP) | 38 | 1Eh | 7,5 segundos 3,00, CL = 5 2,50, CL = 4 2,02, CL = 3 |
| Tiempo mínimo de ciclo de hilera (t RC) | 41, 40 | 36h, 00h | 54,0 ns 21,60, CL = 5 18.00, CL = 4 14,59, LC = 3 |
| Periodo entre comandos de autorregeneración (t RFC) | 42, 40 | 69h, 00h | 105,0 ns 42,00, CL = 5 35.00, CL = 4 28,38, CL = 3 |
| Duración máxima del período de reloj (t CK max) | 43 | 80h | 8,0 ns |
| Número de revisión del SPD | 62 | 12h | Revisión 1.2 |
| Byte de suma de comprobación 0-62 | 63 | DAH | 218 (correcto) |
| Código de identificación del fabricante JEDEC | 64-71 | 7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh, B0h | OCZ |
| Número de pieza del módulo | 73-90 | - | OCZ2TA1000VX21G |
| Fecha de producción del módulo | 93-94 | 00h, 00h | Indefinido |
| Número de serie del módulo | 95-98 | 00h, 00h, 00h, 00h | Indefinido |
El contenido de SPD de estos módulos coincide aproximadamente con el de la primera de las muestras estudiadas: los módulos OCZ DDR2 PC2-6400. Los valores de retardo de señal CAS# admitidos son 5, 4 y 3. El primer valor (CL X = 5) corresponde a un período de reloj de 2,5 ns (frecuencia 400 MHz), es decir. Modo DDR2-800. El esquema de tiempo para este caso está escrito como 5-5-5-14.8 (5-5-5-15). La latencia CAS# reducida (CL X-1 = 4) corresponde al modo DDR2-667 (tiempo de ciclo 3,0 ns, frecuencia 333,3 MHz) con un esquema de temporización de 4-4,17-4,17-12,33 (4-5-5-13 ). Finalmente, el valor de latencia CAS# reducido dos veces (CL X-2 = 3) corresponde a una grabación algo errónea pero común del modo DDR2-533 con un tiempo de ciclo de 3,7 ns (frecuencia 270,3 MHz). El esquema de tiempos para este caso es 3-3.37-3.37-10.0 (3-4-4-10).
El código de identificación del fabricante y el número de pieza del módulo son correctos; No hay información sobre la fecha de fabricación y el número de serie del módulo. Banco de pruebas
Puesto nº 1
- UPC: AMD Athlon 64 X2 4800+ (Zócalo AM2), frecuencia nominal 2,4 GHz (200 x12)
- Conjunto de chips: NVIDIA nForce 590 SLI
- Placa base: ASUS CROSSHAIR, BIOS versión 0502 del 02/01/2007
Los módulos OCZ se probaron en la plataforma AMD ( Procesador Athlon 64 X2 4800+) s tarjeta madre ASUS CROSSHAIR(), que admite el estándar EPP. En todos los casos, las pruebas de los módulos se realizaron en dos modalidades:
1. Nominal: frecuencia de procesador estándar, frecuencia de memoria 400 MHz (DDR2-800), Configuración estándar subsistemas de memoria según SPD, la información del perfil EPP no se utiliza.
2. Óptimo, correspondiente al uso del perfil EPP “óptimo”, que permite el overclocking del procesador (hasta un 15%) para alcanzar la frecuencia de memoria máxima recomendada. Para los módulos OCZ DDR2 PC2-8000 que no admiten EPP, en este caso las frecuencias del procesador y la memoria se ajustaron manualmente.
OCZ DDR2 PC2-6400
| Parámetro | ||
|---|---|---|
| Frecuencia del procesador, MHz (Frecuencia FSB x FID) | 2400 (200x12) | 2400 (200x12) |
| Frecuencia de memoria, MHz (DDR2MHz) | 400 (800) | 400 (800) |
| 5-5-5-15-2T, 1,8 V | 4-4-4-15-1T, 2,0 - 2,3 V |
|
| 4-4-3-2T, 2,2 V | - | |
| Ancho de banda de lectura promedio (GB/s), 1 núcleo | 3.94 (4.06) | - |
| Ancho de banda promedio por grabación (GB/s), 1 núcleo | 3.27 (3.10) | - |
| Máx. Leer ancho de banda de memoria (GB/s), 1 núcleo | 7.84 (7.99) | - |
| Máx. Ancho de banda de escritura (GB/s), 1 núcleo | 6.94 (6.93) | - |
| Ancho de banda de lectura promedio (GB/s), 2 núcleos | 6.65 (6.98) | - |
| Ancho de banda promedio por grabación (GB/s), 2 núcleos | 3.96 (4.05) | - |
| Máx. Leer ancho de banda de memoria (GB/s), 2 núcleos | 8.65 (9.33) | - |
| Máx. Ancho de banda de escritura (GB/s), 2 núcleos | 6.46 (6.61) | - |
| 28.1 (26.7) | - | |
| 80.7 (78.4) | - | |
* tamaño de bloque 32 MB
Comencemos mirando los resultados de las pruebas de los módulos de memoria OCZ DDR2 PC2-6400, para los cuales el fabricante afirma operar en modo DDR2-800 con tiempos de 4-4-4-15 y, lo más importante, latencias de interfaz de comando de 1T. Los tiempos estándar para estos módulos, como puede verse en la tabla anterior, están establecidos BIOS de la placa base Las placas predeterminadas son 5-5-5-15-2T y sus indicadores de velocidad están en el nivel típico de DDR2-800 a una frecuencia de procesador determinada (2,4 GHz). Aumentar el voltaje de suministro a 2,2 V le permite reducir el esquema de sincronización a 4-4-3 (como la gran mayoría de otros módulos DDR2, los módulos en cuestión no son sensibles a los cambios en el último parámetro estándar del esquema de sincronización t RAS ), sin embargo, el valor de los retrasos de la interfaz de comando aún debería permanecer en el nivel 2T. Los intentos de utilizar el esquema de sincronización más estricto 4-3-3-2T, así como el modo 1T, en cualquier valor de sincronización dieron como resultado errores en el subsistema de memoria.
Por lo tanto, los módulos OCZ DDR2 PC2-6400 en cuestión, diseñados para funcionar en el modo DDR2-800 4-4-4-15-1T, resultaron no poder funcionar en este modo. El uso de datos del perfil EPP no salvó la situación (lo que no es sorprendente, ya que el contenido del EPP en estos módulos está representado por un solo perfil "abreviado", que no le permite configurar parámetros sutiles adicionales de naturaleza temporal y eléctrica), incluso cuando se intenta aumentar la tensión de alimentación hasta 2,3 V.
OCZ DDR2 PC2-7200
| Parámetro | ||
|---|---|---|
| Frecuencia del procesador, MHz (Frecuencia FSB x FID) | 2400 (200x12) | 2736 (228x12) |
| Frecuencia de memoria, MHz (DDR2MHz) | 400 (800) | 456 (912) |
| Tiempos de memoria predeterminados, voltaje | 5-5-5-15-2T, 1,8 V | 4-4-3-15-2T, 2,2 V |
| Tiempos mínimos de memoria, voltaje. | 4-3-3-1T, 2,3 V | - |
| Ancho de banda de lectura promedio (GB/s), 1 núcleo | 3.94 (4.12) | 4.56 |
| Ancho de banda promedio por grabación (GB/s), 1 núcleo | 3.30 (3.42) | 3.84 |
| Máx. Leer ancho de banda de memoria (GB/s), 1 núcleo | 7.83 (8.13) | 9.04 |
| Máx. Ancho de banda de escritura (GB/s), 1 núcleo | 6.94 (6.79) | 7.88 |
| Ancho de banda de lectura promedio (GB/s), 2 núcleos | 6.65 (7.14) | 7.79 |
| Ancho de banda promedio por grabación (GB/s), 2 núcleos | 3.93 (4.51) | 4.82 |
| Máx. Leer ancho de banda de memoria (GB/s), 2 núcleos | 8.69 (9.82) | 10.26 |
| Máx. Ancho de banda de escritura (GB/s), 2 núcleos | 6.46 (6.69) | 7.52 |
| Latencia mínima de acceso pseudoaleatorio (ns) | 28.1 (25.7) | 23.9 |
| Latencia mínima de acceso aleatorio * (ns) | 80.2 (78.3) | 67.9 |
* tamaño de bloque 32 MB
Cuando se ejecutan módulos OCZ DDR2 PC2-7200 en modo DDR2-800 normal, la placa base ASUS CROSSHAIR que participa en nuestras pruebas, como en el caso anterior, también establece el esquema de sincronización en 5-5-5-15-2T. Los indicadores de velocidad de los módulos PC2-7200 en este modo están cerca de los indicadores de velocidad de los módulos PC2-6400 discutidos anteriormente. Lo más interesante es que cuando se aumenta la tensión de alimentación de los módulos (hasta 2,3 V), permiten lograr un esquema de temporización 4-4-3 con un retardo de interfaz de comando de 1T, que difiere mucho del PC2. -6400 módulos comentados anteriormente, para los cuales se declara oficialmente el modo 1T (!). Además, en nuestro caso resultó posible ejecutar los módulos en cuestión con el esquema de sincronización 3-3-3-1T, pero esto generó errores.
El uso del perfil EPP "óptimo" resultó en establecer la frecuencia del "bus del sistema" del procesador en 228 MHz, lo que corresponde a una frecuencia del bus de memoria de 228x2 = 456 MHz (modo "DDR2-912", ligeramente superior al nominal "DDR2 -900”) a una frecuencia del procesador de aproximadamente 2,74 GHz (para mayor estabilidad, el voltaje en el núcleo del procesador se elevó manualmente a 1,5 V). El esquema de cronometraje utilizado fue 4-4-3-15-2T, correspondiente a los declarados por el fabricante. Los módulos de memoria en cuestión resultaron ser funcionales en este modo, sin embargo, una mayor reducción de los tiempos (sin contar el parámetro ignorado t RAS), así como la reducción de los retrasos en la interfaz de comando a 1T, llevaron a la inoperatividad del subsistema de memoria.
OCZ DDR2 PC2-8000
| Parámetro | ||
|---|---|---|
| Frecuencia del procesador, MHz (Frecuencia FSB x FID) | 2400 (200x12) | 2500 (250x10) |
| Frecuencia de memoria, MHz (DDR2MHz) | 400 (800) | 500 (1000) |
| Tiempos de memoria predeterminados, voltaje | 5-5-5-15-2T, 1,8 V | 5-5-5-15-2T, 2,3 V |
| Tiempos mínimos de memoria, voltaje. | 4-3-3-1T, 2,3 V | 4-4-4-2T, 2,3 V |
| Ancho de banda de lectura promedio (GB/s), 1 núcleo | 3.90 (4.13) | 4.35 (4.48) |
| Ancho de banda promedio por grabación (GB/s), 1 núcleo | 3.28 (3.33) | 3.61 (3.75) |
| Máx. Leer ancho de banda de memoria (GB/s), 1 núcleo | 7.79 (8.13) | 8.40 (8.50) |
| Máx. Ancho de banda de escritura (GB/s), 1 núcleo | 6.94 (6.79) | 7.19 (7.21) |
| Ancho de banda de lectura promedio (GB/s), 2 núcleos | 6.60 (7.14) | 7.52 (7.79) |
| Ancho de banda promedio por grabación (GB/s), 2 núcleos | 4.08 (4.46) | 4.70 (5.11) |
| Máx. Leer ancho de banda de memoria (GB/s), 2 núcleos | 8.61 (9.82) | 10.37 (11.01) |
| Máx. Ancho de banda de escritura (GB/s), 2 núcleos | 6.48 (6.70) | 6.92 (7.04) |
| Latencia mínima de acceso pseudoaleatorio, ns | 28.6 (25.7) | 24.5 (23.2) |
| Latencia mínima de acceso aleatorio *, ns | 80.6 (78.4) | 72.1 (67.8) |
* tamaño de bloque 32 MB
Cuando utilizamos el último de los módulos OCZ DDR2 PC2-8000 que estamos considerando en el modo oficial DDR2-800 en la placa base ASUS CROSSHAIR, el esquema de sincronización 5-5-5-15-2T también se selecciona de forma predeterminada. Al igual que con los módulos PC2-7200 (pero no con el PC2-6400), aumentar el voltaje de suministro del módulo a 2,3 V permite reducir este circuito a valores 4-3-3 (una reducción adicional a 3-3-3 conduce a errores), y la magnitud de los retrasos en la interfaz de comando es de hasta 1T. Los indicadores de velocidad de los módulos PC2-8000 y PC2-7200 en este caso son casi los mismos.
Dado que los módulos OCZ DDR2 PC2-8000 no admiten extensiones EPP, el modo "DDR2-1000" se configuró manualmente aumentando la frecuencia del "bus del sistema" a 250 MHz para lograr una frecuencia del bus de memoria de 500 MHz a una frecuencia del procesador de 2,5 GHz (250x10). El esquema de temporización mínimo que se logró en estas condiciones fue 4-4-4-2T con una tensión de alimentación del módulo de 2,3 V, que coincide con los valores declarados por el fabricante (un intento de establecer valores más bajos condujo casi de inmediato a la inoperatividad del sistema).Resultados
Los representantes probados de los módulos de memoria de alta velocidad de OCZ (PC2-6400, PC2-7200 y PC2-8000) produjeron impresiones bastante variadas. El menos agradable de ellos es el enfoque bastante descuidado del fabricante a la hora de programar contenidos SPD (en particular, extensiones EPP), que puede afectar directamente a la compatibilidad de los módulos de memoria con varias placas base. Además, el primero de los representantes considerados, los módulos de memoria PC2-6400, resultó no funcionar en modo normal con el valor de retardo de la interfaz de comando 1T declarado oficialmente por el fabricante (al menos en la placa base ASUS CROSSHAIR que utilizamos). Entre los momentos agradables, podemos destacar el rendimiento de los otros dos representantes: los módulos de las series PC2-7200 SLI-Ready Edition y PC2-8000 Titanium Alpha VX2 en modo DDR2-800 normal con un esquema de sincronización bastante "extremo" de 4- 3-3 y un valor de retardo de interfaz de comando de 1T, que está lejos de ser típico para la mayoría de los kits de memoria de doble canal de 2 GB en la plataforma AMD "AM2". Al mismo tiempo, en los modos "no oficiales" ("DDR2-900" y "DDR2-1000", respectivamente), los módulos de esta serie parecen estar overclockeados al límite, ya que el esquema de tiempo se reduce aún más, así como el comando. Las latencias de la interfaz se reducen hasta 1T, no es posible. Sin embargo, el funcionamiento estable de los módulos PC2-7200 y PC2-8000 en modos de velocidad máxima, teniendo en cuenta la situación actual con los módulos PC2-6400, ya puede considerarse una ventaja de esta serie de productos OCZ.
Con el lanzamiento de soluciones asequibles basadas en la microarquitectura Nehalem, la memoria DDR2 finalmente perderá su relevancia y eventualmente desaparecerá por completo de escena, como sucedió con el primer tipo de DDR. El potencial de overclocking de los módulos actualmente en el mercado deja mucho que desear y prácticamente no se diferencia de las soluciones de varios fabricantes. A veces te encuentras con productos interesantes a precios razonables que pueden funcionar a frecuencias bastante altas, pero esto es más una excepción que un fenómeno generalizado. Naturalmente, para desbloquear las capacidades de los procesadores Core 2 modernos, es necesario nivelar el factor limitante en forma de overclocking de memoria débil, por lo que la transición a DDR3 está más que justificada. Pero esto está sujeto a la presencia de una placa base que pueda funcionar de manera estable en aumento de frecuencia Autobuses FSB. Para Core i7, el nuevo estándar de memoria es la única opción y el cambio de plataforma de AMD está menos justificado por ahora. Con el tiempo, por supuesto, la situación mejorará, pero por ahora puedes aprovechar tus preferencias y capacidades al elegir una de las plataformas con memoria DDR3.
En este material conoceremos tres juegos de memoria DDR3 con una frecuencia operativa de 1600 MHz y una capacidad total de 4 GB cada uno de la conocida empresa OCZ.
Como ya comprenderá, los kits no están destinados a funcionar como parte de un sistema basado en Core i7, que, debido a las limitaciones del controlador de memoria, está diseñado para una tensión de alimentación de módulos de alta frecuencia de sólo 1,65 V. Los kits En cuestión funcionan a un voltaje de 1,9 V y se pueden utilizar sin problemas para instalarlos en placas para procesadores Core 2 o AMD que admitan este tipo.
OCZ OCZ3X16004GK (Serie Intel Extreme, PC2-12800, 2x2GB)
Primero, veamos el kit OCZ3X16004GK de la serie Intel Extreme (XMP Edition), que está diseñado para la plataforma LGA775 con soporte para la tecnología XMP (eXtreme Memory Profiles), un análogo de EPP, pero para memoria DDR3. Naturalmente, la memoria puede funcionar sin esta función, sólo los ajustes de temporización y tensión de alimentación deberán realizarse manualmente.
Los módulos se suministran en un pequeño blíster con un inserto azul que contiene instrucciones para instalar la memoria en el sistema.
Los módulos están fabricados sobre una PCB negra y están equipados con radiadores XTC (Xtreme Thermal Convection) negros patentados, que están fabricados en forma de malla, lo que, según el fabricante, aumenta la eficiencia de refrigeración de los chips de memoria. Hay un logo a cada lado del radiador. núcleo Intel 2 Extremo.
El diseño del radiador no es de una sola pieza: consta de una malla de aluminio y un borde pegado con el mismo velcro térmico que la parte principal del radiador a los chips de memoria.
De las marcas de identificación en la PCB se puede encontrar el HJ M1 94V-0, que no tiene nada que ver con BrainPower, placas de circuito impreso a partir del cual se utilizan para módulos overlocker.
La etiqueta también contiene un mínimo de información: frecuencia de funcionamiento 1600 MHz, volumen total del kit 4 GB, tiempos 7-7-7-24 (información sobre tRAS extraída del sitio web oficial de la empresa) y voltaje 1,9 V.
Pero SPD puede informarle sobre la memoria con mucho más detalle. Cuando el sistema arranca por defecto, las tiras se definirán como DDR3-1066 con retrasos de 7-7-7-16 y un voltaje de 1,5 V. Al activar el perfil XMP, de los cuales también hay dos, la memoria ya operar a su frecuencia nominal con temporizaciones de 7- 7-7-28 y tensión 1,9 V (perfil Entusiasta). Nuestra placa de prueba ASUS P5E3 Deluxe basada en WiFi-AP Conjunto de chips Intel Para lograr esto, X38 Express elevó la frecuencia del FSB y bajó el multiplicador. Procesador central 2 E8500, que le dio unos 3,2 GHz finales.
Si se requiere una frecuencia mayor se puede activar el perfil Extreme y los módulos podrán operar a 1777 MHz con retardos de 9-9-9-32. En ambos casos también están disponibles varias combinaciones de frecuencias y tiempos.
OCZ OCZ3P16004GK (Serie Platino, PC2-12800, 2x2GB)
El kit OCZ3P16004GK es un representante de la antigua serie Platinum y viene en el mismo blister que el kit anterior, pero, por supuesto, con un inserto diferente.
Los módulos negros están equipados con radiadores pulidos normales, en ambos lados de los cuales se encuentra la letra Z con un pequeño número 3.
El diseño del radiador sigue siendo el mismo: una malla y un borde unidos por velcro térmico.
Por características memoria dada No se diferencia de los módulos Intel Extreme y está diseñado para una frecuencia de 1600 MHz con tiempos 7-7-7-24 y un voltaje de 1,9 V.
El SPD especifica sólo retrasos estándar y frecuencias de hasta 1066 MHz. No existe un perfil XMP y, para trabajar con las características indicadas, deberá realizar todos los ajustes necesarios usted mismo.
Curiosamente, el SPD contiene otro valor de temporización para una frecuencia de 1200 MHz, que se puede ver utilizando la utilidad MemSet.
OCZ OCZ3RPR16004GK (Serie Reaper HPC, PC2-12800, 2x2GB)
Y el último kit, OCZ3RPR16004GK, ya pertenece a la serie Reaper, que conocimos en un artículo reciente dedicado a la memoria DDR2 de OCZ. Los módulos están empaquetados en un blister grande con el mismo folleto de instrucciones que el antiguo kit estándar.
Las láminas están fabricadas sobre una PCB negra, cada una de las cuales está equipada con un disipador de calor patentado con un tubo de calor que transfiere calor a un pequeño disipador de calor adicional.
El radiador principal consta de dos mitades: una está unida a tubo de calor, y la otra es una placa de aluminio normal. Toda la estructura está conectada con dos tornillos y, además, pegada por ambos lados a los chips de memoria.
La placa de circuito impreso, a diferencia de los módulos más asequibles, es de BrainPower (en cada tira se puede encontrar la etiqueta B63URCBB 0.70), que se utiliza para producir una memoria de 1600 MHz con una capacidad de 2 GB.
Las características de este kit son las mismas que las de las memorias de las series Intel Extre y Platinum: un volumen total de 4 gigabytes, una frecuencia de funcionamiento de 1600 MHz, tiempos 7-7-7-24 y una tensión de alimentación de 1,9 V.
La información del SPD es la misma que la de los módulos Platinum Edition, sin ningún cambio.
De hecho, en este caso tendrás que pagar de más por una PCB famosa y un sistema de refrigeración más eficiente.
Configuración de prueba y técnica de overclocking.
Nuestra configuración de prueba se veía así:
- Procesador: Intel Core 2 Duo E8500 (3,16 GHz, 6 MB, FSB 333 MHz);
- Placa base: ASUS P5E3 Deluxe WiFi-AP (Intel X38);
- Tarjeta de vídeo: ASUS EN8800GS TOP (GeForce 8800 GS 384 MB);
- Enfriador: Noctua NH-U12P;
- Disco duro: Samsung SP2504C (250 GB, SATA2);
- Fuente de alimentación: Tagan BZ 1300W (1300W).
Parámetros "Static Read Control" y "Transaction Booster" en Configuración del BIOS se apagaron las placas, se fijó el “Nivel de Relajación” en 4 (también se utilizaron valores diferentes si no se lograba el resultado deseado con el especificado), lo que permitió obtener un Nivel de Rendimiento de 8 o 9. El voltaje en el chipset era de 1,45 V, en el bus FSB, de 1,4 V. Otras configuraciones son predeterminadas. Durante las pruebas, los módulos fueron soplados por un ventilador de 120 mm.
El potencial de overclocking se determinó para tres conjuntos de tiempos: 7-7-7-21, 8-8-8-24 y 9-9-9-27. En este momento son los más relevantes en ese momento. El parámetro Command Rate era 1T.
Resultados de overclocking
El kit de memoria OCZ3X16004GK con tiempos 7-7-7-21 y un voltaje de 1,9 V pudo funcionar de manera estable a una frecuencia de 1665 MHz. Después de aumentar el voltaje a 2 V, el umbral volvió a 1701 MHz, lo cual es bastante bueno. El siguiente conjunto de la lista no respondió al aumento de voltaje y su frecuencia final fue de 1693 MHz. Para el "reaper", el resultado fue de solo 1645 MHz, y después de aumentar el voltaje, la frecuencia aumentó otros 44 MHz, lo cual es extremadamente bajo en comparación con kits más asequibles.
Los kits OCZ3P16004GK y OCZ3RPR16004GK se negaron a funcionar con retrasos de 8-8-8-24 y 9-9-9-27, pero el primero pudo pasar la prueba a una frecuencia de 1709 MHz. El segundo perfil XMP, que está disponible para la memoria de la serie Intel Extreme, también resultó ineficaz. Quizás 1700 MHz sea el límite para los chips utilizados, pero el extraño comportamiento de la memoria con latencias menos agresivas sugiere algún tipo de incompatibilidad de la memoria con la placa base utilizada en el banco de pruebas.
Resultados
A partir de este material, en las páginas de nuestro sitio web prestaremos cada vez más atención a la cada vez más popular memoria DDR3, cuyo precio durante el último año ha bajado lo suficiente como para recomendarla para construir no solo un sistema de alta gama, sino también un sistema de gama media. PC de nivel. Y dado que pronto será compatible con cuatro plataformas, se sugiere la conclusión de un cambio en la prioridad de las pruebas. Por supuesto, a veces probaremos algunas soluciones obsoletas, pero lo más probable es que con raras excepciones, ya que su potencial ha sido estudiado durante mucho tiempo y últimamente ya no pueden sorprendernos con nada especial.
En cuanto a los conjuntos de memoria analizados, con tiempos de 7-7-7-21 mostraron muy buenos resultados: alrededor de 1650-1700 MHz. Esta frecuencia es suficiente para overclockear cualquier procesador o aumentar el rendimiento del sistema. Pero por alguna razón la memoria se negó por completo a funcionar con grandes retrasos. Lo más probable es que el problema esté en los límites de los propios chips, porque ya funcionan a su frecuencia nominal de 1600 MHz con un voltaje de 1,9 V, o en la placa base de prueba.
Agradecemos a las siguientes empresas por proporcionar equipos de prueba:
- Eletek para kits de memoria OCZ OCZ3X16004GK, OCZ3P16004GK y OCZ3RPR16004GK;
- ASUS para tarjeta madre ASUS P5E3 Deluxe WiFi-AP;
- Grupo maestro para la tarjeta de video ASUS EN8800GS TOP 384MB;
- MaxPoint para fuente de alimentación Tagan BZ 1300W;
- Noctua para el disipador Noctua NH-U12P y la pasta térmica Noctua NT-H1.
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"CompañíaOCZTechnology Group fue creado por entusiastas y para entusiastas", estas son las palabras con las que nos saluda el sitio web oficial del fabricante. El kit de memoria que llegó a nuestro laboratorio de pruebas sirve como un ejemplo "típico" de este concepto. Pero para llamar a los productos OCZ, ya sea la RAM más económica o una de las mejores, Fuente de alimentación final, "típica" sería un gran error. Cualquier producto con el logotipo "OCZ" seguramente destacará tanto en términos de diseño como características técnicas(y, por supuesto, su precio se saldrá notablemente de lo habitual;)).
Ahora (si aún no estabas familiarizado con esta marca), una vez que te hayas formado tu primera impresión, es hora de pasar al tema de la historia en sí.
Este kit PC2-8500 se encuentra en el medio de toda la línea de memorias de la serie OCZ Blade. La serie incluye conjuntos más lentos (PC-6400 o DDR2-800) y más rápidos (PC-9600 o DDR2-1200), así como módulos que funcionan con voltaje de suministro reducido. El equipo de prueba está destinado a "entusiastas moderados", por así decirlo, ya que aún cumple con el límite de frecuencia estándar superior para la memoria DDR2 según las recomendaciones de JEDEC. Permítanos recordarle que el Consejo Conjunto de Ingeniería de Dispositivos Electrónicos (JEDEC) es el Consejo Conjunto de Ingeniería para dispositivos electrónicos EE.UU. Y la capacidad total es de 4 GB, lo que ya se ha convertido en una cantidad razonable para una computadora productiva moderna.
Te conocemos por la ropa: diseño y packaging.
Todos los kits de OCZ Blade se suministran en blísteres de plástico, lo que le permite examinar fácilmente los módulos. Aquí mencionaremos varias características de los kits OCZ originales, para que pueda asegurarse en la primera etapa de elegir la memoria de que no se trata de una falsificación.
La primera señal es la impresión de alta calidad en el embalaje.
El segundo cartel es una pegatina informativa pegada en cada módulo, en la que los emblemas holográficos “OCZ” son fácilmente visibles, incluso a través del plástico de la caja.
El tercer signo es la presencia. película protectora en el logotipo del disipador del módulo. Estas tres características garantizarán que el producto realmente pertenezca a la marca OCZ.
Las tiras de memoria están hechas en PCB negro (también se pueden encontrar en verde) y están "vestidas" con las mismas cubiertas negras del radiador. El diseño de los disipadores de calor es plegable, con dos tornillos.
El material del que están hechos los radiadores es bastante estándar: es una aleación de aluminio. Pero la estructura en sí es un poco alta, por lo que placas base con ranuras de memoria ubicadas cerca de zócalo del procesador Puede haber problemas con la instalación de algunos refrigeradores grandes. Aproximadamente a la mitad de la altura del módulo, el “peine” del radiador se extiende hacia arriba. Cabe señalar que las formas de los radiadores. diferentes modelos Los recuerdos incluso dentro de la línea Blade difieren, pero en general, pertenecer a la misma serie es fácil de rastrear.
Cada módulo contiene 16 chips DRAM, lo que también es bastante común en dispositivos de 2 GB.
Repasemos la mente: características y potencial de overclocking.
Desciframos las marcas contenidas en las pegatinas de los módulos - OCZ2D1066LV4GK (hagamos una reserva de inmediato, el sitio web oficial del fabricante no proporciona información al respecto) de la siguiente manera:
- OCZ - fabricante de memorias;
- 2D: colocación de chips de memoria en ambos lados en el módulo;
- 1066 - frecuencia efectiva, MHz;
- LV - Bajo voltaje, voltaje de suministro reducido (de hecho, este conjunto no debería pertenecer a esta categoría, pero a continuación se dará evidencia de nuestra suposición);
- 4GK - Kit de 4 Gigabytes, un conjunto con una capacidad total de 4 GB.
Pero la utilidad de información CPU-Z dice que el chip de memoria SPD contiene un perfil PC-8900 no estándar (DDR de 1110 MHz) en lugar del valor estándar PC-8500 (DDR de 1066 MHz).
Esto contiene la primera confirmación de que el conjunto OCZ probado pertenece a la categoría de memoria de bajo consumo: el voltaje de alimentación recomendado incluso para el modo más rápido PC-8900 con tiempos 5-5-5-18 es de sólo 1,8 V. Esta es la primera vez que hemos visto esto. Y aquí se descubre una discrepancia entre esta información y los datos de las pegatinas de los módulos, que informan que a menor velocidad del PC-8500 y los mismos tiempos 5-5-5-18, la tensión de alimentación debe ser de 2,2 V. .
De cara al futuro, digamos que la información contenida en el SPD se confirmó en la práctica durante la medición del potencial de overclocking. La memoria OCZ funcionó fácilmente a la frecuencia adecuada con los tiempos y voltaje de suministro especificados.
La metodología de prueba de memoria ya se ha establecido y hemos acumulado una determinada base de datos sobre el potencial de overclocking de varios memoria de acceso aleatorio Estándar DDR2.
Se seleccionaron varias combinaciones de valores de sincronización y voltaje de suministro para describir de manera integral el potencial de los módulos considerados. Entonces, el overclocking se realizó con la siguiente configuración:
- horarios principales 5-5-5-18 (CL-RCD-RP-RAS);
- 6-7-7-25 (CL-RCD-RP-RAS;
- 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS).
Cada conjunto de tiempos se combinó con dos valores de voltaje de suministro: 1,8 V y 2,2 V. El valor de tiempo, que afecta en gran medida el rendimiento del subsistema de memoria, Command Rate - 2T.
Para comprobar la estabilidad en un estado overclockeado, utilizamos la utilidad Prime95 v.25.11:
Como muestra la práctica, los módulos de memoria de diferentes fabricantes, incluso con las mismas especificaciones, se comportan de manera muy diferente cuando se overclockean. Algunos reaccionan muy sensiblemente al aumento de la tensión de alimentación, otros no, otros permiten aumentar considerablemente la frecuencia simplemente “aflojando” los tiempos un paso, y así sucesivamente... Por lo tanto, todos los rivales del OCZ Blade elegidos para la comparación de hoy igualarlo tanto en términos de velocidad de funcionamiento como en volumen total. Nos encontramos:
1) Elixir M2Y2G64TU8HD5B-BD:
El kit más barato de todos los participantes, ni siquiera está equipado con radiadores. Puede familiarizarse con él con más detalle en el artículo "".
2) GOODRAM PRO GP1066D264L5/4GDC:
Hasta ahora, este conjunto ha sido líder en cuanto a la totalidad de sus características de overclocking. También fue publicado recientemente en nuestro portal.
A continuación se detallan sus principales características.
|
Modelo |
Serie de cuchillas OCZ OCZ2D1066LV4GK |
Elixir M2Y2G64TU8HD5B-BD |
GOODRAM PRO GP1066D264L5/4GDC |
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Fabricante |
Tecnología OCZ |
Tecnología Nanya |
Wilk Elektronik S.A. |
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Establecer 2x2 GB |
2 unidades de 2 GB cada una |
establecer 2x2 GB |
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PC2-8500 (DDR2 1066) |
PC2-8500 (DDR2 1066) |
PC2-8500 (DDR2 1066) |
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Tensión de alimentación |
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Compatibilidad con ECC/búfer* |
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Peculiaridades |
Radiador de aluminio plegable |
Radiador de aluminio |
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Precio medio de venta al público |
$100-125 |
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