Вибір оптимальної пам'яті для ноутбука OCZ Value Series. Тестова конфігурація та методика розгону
Частина 26: Високошвидкісні модулі OCZ серій Titanium та SLI-Ready (PC2-6400, PC2-7200 та PC2-8000)
Ми продовжуємо вивчення найважливіших характеристик високошвидкісних модулів DDR2 за допомогою універсального тестового пакету. Сьогодні ми розглянемо високошвидкісні пропозиції від компанії OCZ - три двоканальні 2-ГБ комплекти модулів пам'яті серій Titanium та SLI-Ready швидкісних категорій PC2-6400, PC2-7200 та PC2-8000:
- OCZ DDR2 PC2-6400 Titanium EPP-Ready (OCZ2T8002GK, DDR2-800 4-4-4-1T)
- OCZ DDR2 PC2-7200 SLI-Ready Edition (OCZ2N900SR2GK, DDR2-900 4-4-3-2T)
- OCZ DDR2 PC2-8000 Titanium Alpha VX2 (OCZ2TA1000VX22GK, DDR2-1000 4-4-4-2T)
Виробник модуля: OCZ Technology
Виробник мікросхем модуля: невідомий
Сайт виробника модуля: Зовнішній вигляд модулів
OCZ DDR2 PC2-6400
OCZ DDR2 PC2-7200
OCZ DDR2 PC2-8000
Part Number модулів
Посібник із розшифровки Part Number модулів пам'яті DDR2 на сайті виробника відсутній (в ході його вивчення було виявлено лише застарілий посібник, присвячений модулям пам'яті типу DDR). Тому обмежимося лише коротким описоммодулів, що представлені на сторінках відповідних продуктів.
OCZ DDR2 PC2-6400
Модулі підтримують стандарт EPP, що дозволяє досягти оптимальної продуктивності модулів на материнських платах із чіпсетами NVIDIA nForce 590 SLI. Вміст EPP запрограмований режим DDR2-800 з досить низькими таймінгами 4-4-4-1T, тобто. модулі здатні функціонувати при затримках командного інтерфейсу 1T (1 команда/1 такт), що збільшує продуктивність підсистеми пам'яті. Модулі оснащені тепловідведеннями XTC (Xtreme Thermal Convection) з титановим покриттям, що забезпечують ефективне відведення тепла.
OCZ DDR2 PC2-7200
Модулі також підтримують стандарт EPP, при цьому вміст цієї частини SPD запрограмований на режим DDR2-900 зі схемою таймінгів 4-4-3. Як стверджує виробник, дані модулі оснащені ексклюзивною системою тепловідведення NVIDIA XTC (з точки зору як ефективності, так і зовнішнього вигляду, "відповідного" рівню продуктивності модулів).
OCZ DDR2 PC2-8000
На відміну від перших двох представників, підтримка стандарту EPP у модулях відсутня. Модулі належать особливому сімейству модулів Voltage Xtreme, розрахованих на роботу при високій напругі живлення (що дозволяє досягти швидкостей, недоступних при звичайному рівні напруги). Ця модельрозрахована на режим DDR2-1000 при затримках 4-4-4, що досягається за рахунок підняття напруги живлення до 2.3В і позиціонується як high-end рішення для екстремальних геймерів і оверклокерів. Тепловідведення модулів XTC із застосуванням титанового покриття, стійкого до подряпин, також є ексклюзивним рішенням, цього разу – за своєю кольоровою гамою (див. фото). Кожен модуль Titanium Alpha має унікальну кольорову гаму і змінює свій відтінок кольору в залежності від освітлення та кута огляду. Дані мікросхеми SPD модулів
Опис загального стандарту SPD:
Опис специфічного стандарту SPD для DDR2:
Опис стандарту EPP:
OCZ DDR2 PC2-6400
| Параметр | Байт | Значення | Розшифровка |
|---|---|---|---|
| Фундаментальний тип пам'яті | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
| 3 | 0Eh | 14 (RA0-RA13) | |
| 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) | |
| 5 | 61h | 2 фізичні банки | |
| 6 | 40h | 64 біт | |
| Рівень напруги живлення | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| 9 | 25h | 2.50 нс (400.0 МГц) | |
| Тип конфігурації модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| 12 | 82h | ||
| 13 | 08h | x8 | |
| 14 | 00h | НЕ визначено | |
| 16 | 0Ch | BL = 4, 8 | |
| 17 | 04h | 4 | |
| 18 | 38h | CL = 5, 4, 3 | |
| 23 | 30h | 3.00 нс (333.3 МГц) | |
| 25 | 37h | 3.70 нс (270.3 МГц) | |
| 27 | 32h | 12.5 нс 5.00, CL = 5 4.17, CL = 4 3.37, CL = 3 |
|
| 28 | 28h | 10.0 нс 4.00, CL = 5 3.33, CL = 4 2.70, CL = 3 |
|
| 29 | 32h | 12.5 нс 5.00, CL = 5 4.17, CL = 4 3.37, CL = 3 |
|
| 30 | 25h | 37.0 нс 14.80, CL = 5 12.33, CL = 4 10.00, CL = 3 |
|
| 31 | 80h | 512 МБ | |
| 36 | 3Ch | 15.0 нс 6.00, CL = 5 5.00, CL = 4 4.05, CL = 3 |
|
| 37 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.50, CL = 4 2.02, CL = 3 |
|
| 38 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.50, CL = 4 2.02, CL = 3 |
|
| 41, 40 | 37h, 00h | 55.0 нс 22.00, CL = 5 18.33, CL = 4 14.86, CL = 3 |
|
| 42, 40 | 69h, 00h | 105.0 нс 42.00, CL = 5 35.00, CL = 4 28.38, CL = 3 |
|
| 43 | 80h | 8.0 нс | |
| Номер ревізії SPD | 62 | 23h | Ревізія 2.3(?) |
| Контрольна сума байт 0-62 | 63 | BFh | 191 (вірно) |
| 64-71 | 7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh, B0h | OCZ | |
| Part Number модуля | 73-90 | - | OCZ2T8001G |
| Дата виготовлення модуля | 93-94 | 06h, 26h | 2006 рік, 38 тиждень |
| Серійний номер модуля | 95-98 | 00h, 00h, 00h, 00h | НЕ визначено |
За даними SPD, значення затримки сигналу CAS#, що підтримуються, становлять 5, 4 і 3. Першому значенню (CL X = 5) відповідає період синхросигналу 2.5 нс (частота 400 МГц), тобто. режим DDR2-800 Схема таймінгів для цього випадку не повністю представляється цілими значеннями і може бути записана у вигляді 5-5-5-14.8, що з урахуванням найімовірнішого округлення у велику сторону відповідає стандартній схемі 5-5-5-15. Зменшеній величині затримки CAS# (CL X-1 = 4) відповідає режим DDR2-667 (час циклу 3.0 нс, частота 333.3 МГц) з нецілою схемою таймінгів 4-4.17-4.17-12.33, яку з урахуванням округлення можна записати у вигляді 4 5-5-13. Нарешті, двічі зменшеної величини затримки CAS# (CL X-2 = 3) відповідає дещо помилковий, але поширений запис режиму DDR2-533 з часом циклу 3.7 нс (частота 270.3 МГц) замість номінального значення 3.75 нс (частота 266.7 МГц). Схема таймінгів для цього випадку – 3-3.37-3.37-10, з урахуванням округлення – 3-4-4-10.
Ідентифікаційний код виробника, дата виготовлення та Part Number модуля вказані правильно, в той час як інформація про серійному номерімодуля відсутня. До того ж, дещо насторожує дивне значення ревізії SPD 23h, що формально відповідає неіснуючому номеру ревізії стандарту «2.3».
Оскільки дані модулі підтримують розширення EPP, розглянемо тепер інформацію, що міститься в цій "нестандартній" частині SPD, представленої байтами 99-127 вмісту SPD.
| Параметр | Байт(и) (біти) | Значення | Розшифровка |
|---|---|---|---|
| Рядок ідентифікації EPP | 99-101 | 4E566Dh | Є підтримка SPD EPP |
| Тип профілів EPP | 102 | A1h | Скорочені профілі |
| 103 (1:0) | 00h | Профіль 0 | |
| Використовувані профілі | 103 (7:4) | 01h | Профіль 0: присутній Профіль 1: відсутній Профіль 2: відсутній Профіль 3: відсутній |
| Профіль №0 | |||
| Рівень напруги живлення | 104 (6:0) | 08h | 2.0 V |
| Затримка передачі адреси (Addr CMD rate) | 104 (7) | 00h | 1T |
| Час циклу (t CK) | 105 | 25h | 2.50 нс (400.0 МГц) |
| Затримка CAS # (t CL) | 106 | 10h | 4 |
| Мінімальна затримка між RAS# та CAS# (t RCD) | 107 | 28h | 10.0 нс (4.0) |
| Мінімальний час підзарядки даних у рядку (t RP) | 108 | 28h | 10.0 нс (4.0) |
| Мінімальна тривалість імпульсу сигналу RAS # (t RAS) | 109 | 25h | 37.0 нс (14.8) |
Інформація EPP представлена у вигляді скорочених профілів, максимально можлива кількість яких - 4, тоді як реально присутні дані лише про перший із цих профілів (профіль №0), який, природно, відзначений як «оптимальний». Інформація, що міститься в цьому скороченому профілі, дуже нечисленна і повністю представлена в таблиці вище. Це дані про напругу живлення модулів - 2.0 V, величину затримок командного інтерфейсу (1T), часу циклу (2.5 нс, частота шини пам'яті 400 МГц, режим DDR2-800) і стандартні таймінги (4-4-4-14.8, з урахуванням округлення 4-4-4-15). Додаткові параметритонкого налаштування тимчасових та електричних характеристик функціонування підсистеми пам'яті у вмісті «скороченого» профілю EPP відсутні, що, на наш погляд, ставить під сумнів його основні переваги. Ймовірно, виробник модулів просто не приділив належної уваги тонкому налаштуванніцих показників. До чого це призвело, ми побачимо далі, в ході нашого дослідження модулів, а поки що перейдемо до розгляду SPD наступного представника.
OCZ DDR2 PC2-7200
| Параметр | Байт | Значення | Розшифровка |
|---|---|---|---|
| Фундаментальний тип пам'яті | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
| Загальна кількість адресних ліній рядка модуля | 3 | 0Eh | 14 (RA0-RA13) |
| Загальна кількість адресних ліній стовпця модуля | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
| Загальна кількість фізичних банків модуля пам'яті | 5 | 61h | 2 фізичні банки |
| Зовнішня шина даних модуля пам'яті | 6 | 40h | 64 біт |
| Рівень напруги живлення | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| Мінімальна тривалість періоду синхросигналу (t CK) за максимальної затримки CAS# (CL X) | 9 | 25h | 2.50 нс (400.0 МГц) |
| Тип конфігурації модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| Тип та спосіб регенерації даних | 12 | 82h | 7.8125 мс - 0.5x скорочена саморегенерація |
| Ширина зовнішнього інтерфейсу шини даних (тип організації) мікросхем пам'яті, що використовуються | 13 | 08h | x8 |
| Ширина зовнішнього інтерфейсу шини даних (тип організації) мікросхем пам'яті ECC-модуля, що використовуються. | 14 | 00h | НЕ визначено |
| Тривалість пакетів, що передаються (BL) | 16 | 0Ch | BL = 4, 8 |
| Кількість логічних банків кожної мікросхеми у модулі | 17 | 04h | 4 |
| Тривалість затримки CAS# (CL), що підтримується. | 18 | 38h | CL = 5, 4, 3 |
| Мінімальна тривалість періоду синхросигналу (tCK) при зменшеній затримці CAS# (CL X-1) | 23 | 3Dh | 3.75 нс (266.7 МГц) |
| Мінімальна тривалість періоду синхросигналу (tCK) при зменшеній затримці CAS# (CL X-2) | 25 | 00h | НЕ визначено |
| Мінімальний час підзарядки даних у рядку (t RP) | 27 | 32h | 12.5 нс 5.00, CL = 5 3.33, CL = 4 Не визначено, CL = 3 |
| Мінімальна затримка між активізацією сусідніх рядків (t RRD) | 28 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.00, CL = 4 Не визначено, CL = 3 |
| Мінімальна затримка між RAS# та CAS# (t RCD) | 29 | 32h | 12.5 нс 5.00, CL = 5 3.33, CL = 4 Не визначено, CL = 3 |
| Мінімальна тривалість імпульсу сигналу RAS # (t RAS) | 30 | 25h | 37.0 нс 14.80, CL = 5 9.87, CL = 4 Не визначено, CL = 3 |
| Ємність одного фізичного банку модуля пам'яті | 31 | 80h | 512 МБ |
| Період відновлення після запису (t WR) | 36 | 3Ch | 15.0 нс 6.00, CL = 5 4.00, CL = 4 Не визначено, CL = 3 |
| Внутрішня затримка між командами WRITE та READ (t WTR) | 37 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.00, CL = 4 Не визначено, CL = 3 |
| Внутрішня затримка між командами READ та PRECHARGE (t RTP) | 38 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.00, CL = 4 Не визначено, CL = 3 |
| Мінімальний час циклу рядка (t RC) | 41, 40 | 37h, 00h | 55.0 нс 22.00, CL = 5 14.86, CL = 4 Не визначено, CL = 3 |
| Період між командами саморегенерації (t RFC) | 42, 40 | 69h, 00h | 105.0 нс 42.00, CL = 5 28.38, CL = 4 Не визначено, CL = 3 |
| Максимальна тривалість періоду синхросигналу (t CK max) | 43 | 80h | 8.0 нс |
| Номер ревізії SPD | 62 | 12h | Ревізія 1.2 |
| Контрольна сума байт 0-62 | 63 | 2Ah | 42 (вірно) |
| Ідентифікаційний код виробника JEDEC | 64-71 | 7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh, B0h | OCZ |
| Part Number модуля | 73-90 | - | OCZ2N900SR1G |
| Дата виготовлення модуля | 93-94 | 00h, 00h | НЕ визначено |
| Серійний номер модуля | 95-98 | 00h, 00h, 00h, 00h | НЕ визначено |
Підтримувані значення затримки сигналу CAS# - 5, 4 і 3, проте значення періодів синхросигналу вказані лише перших двох значень: основного (CL X = 5) і зменшеного (CL X-1 = 4). Перше значення (CL X = 5) відповідає період синхросигналу 2.5 нс (частота 400 МГц), тобто. режим DDR2-800 Схема таймінгів для цього випадку може бути записана у вигляді нецілих значень 5-5-5-14.8 з урахуванням найбільш ймовірного округлення у велику сторону - 5-5-5-15. Другому значенню (CL X-1 = 4) відповідає дещо застарілий режим DDR2-533 (час циклу 3.75 нс, частота 266.7 МГц) з нецілою схемою таймінгів 4-3.33-3.33-9.87, яку з урахуванням округлення можна записати у вигляді 4 -4-10. Як ми вже зазначали вище, двічі зменшеною величиною затримки CAS# (CL X-2 = 3) не відповідає будь-який осмислений режим функціонування модулів, що безперечно є помилкою.
Ідентифікаційний код виробника та Part Number модуля вказані правильно, проте інформація про дату виготовлення та серійний номер модулів відсутня. Дані модулі також підтримують розширення EPP, тому розглянемо нижче інформацію, що міститься у цій частині SPD.
| Параметр | Байт(и) (біти) | Значення | Розшифровка |
|---|---|---|---|
| Рядок ідентифікації EPP | 99-101 | 4E566Dh | Є підтримка SPD EPP |
| Тип профілів EPP | 102 | B1h | Розширені профілі |
| Профіль оптимальної продуктивності | 103 (1:0) | 01h | Профіль 1 |
| Використовувані профілі | 103 (7:4) | 03h | Профіль 0: присутній Профіль 1: присутній |
| Профіль №0 | |||
| Рівень напруги живлення | 104 (6:0) | 14h | 2.3 V |
| Затримка передачі адреси (Addr CMD rate) | 104 (7) | 01h | 2T |
| Час циклу (t CK) | 109 | 22h | 2.20 нс (454.5 МГц) |
| Затримка CAS # (t CL) | 110 | 10h | 4 |
| Мінімальна затримка між RAS# та CAS# (t RCD) | 111 | 23h | 8.75 нс (3.98) |
| Мінімальний час підзарядки даних у рядку (t RP) | 112 | 19h | 6.25 нс (2.84) |
| Мінімальна тривалість імпульсу сигналу RAS # (t RAS) | 113 | 21h | 33.0 нс (15.00) |
| Період відновлення після запису (t WR) | 114 | 28h | 10.0 нс (4.55) |
| Мінімальний час циклу рядка (t RC) | 115 | 32h | 50.0 нс (22.73) |
| Профіль №1 | |||
| Рівень напруги живлення | 116 (6:0) | 14h | 2.3 V |
| Затримка передачі адреси (Addr CMD rate) | 117 (7) | 01h | 2T |
| Час циклу (t CK) | 121 | 22h | 2.20 нс (454.5 МГц) |
| Затримка CAS # (t CL) | 122 | 10h | 4 |
| Мінімальна затримка між RAS# та CAS# (t RCD) | 123 | 21h | 8.25 нс (3.75) |
| Мінімальний час підзарядки даних у рядку (t RP) | 124 | 19h | 6.25 нс (2.84) |
| Мінімальна тривалість імпульсу сигналу RAS # (t RAS) | 125 | 1Fh | 31.00 нс (14.09) |
| Період відновлення після запису (t WR) | 126 | 30h | 12.00 нс (5.45) |
| Мінімальний час циклу рядка (t RC) | 127 | 2Ch | 44.00 нс (20.00) |
Вміст EPP виглядає дуже цікавим. На відміну від розглянутих вище модулів OCZ DDR2 PC2-6400 з «скороченими» профілями EPP, модулі OCZ DDR2 PC2-7200 містять у своїй частині EPP інформацію про два «розширені» профілі (№0 і №1), обидва з яких є дійсними , але відповідають... приблизно одному й тому режиму функціонування(!), крім незначних відмінностей. А саме, в обох профілях робочим режимом модулів є режим «DDR2-900» (частота - приблизно 454.5 МГц, час циклу 2.2 нс) з напругою живлення 2.3 V (що відповідає специфікаціям виробника) і величиною затримок командного інтерфейсу 2T. Дещо розрізняються лише схеми основних таймінгів пам'яті, які в першому випадку можна подати у вигляді 4-3.98-2.84-15 (4-4-3-15 при округленні у велику сторону), а в другому - як 4-3.75-2.84-14.09 . При округленні цих значень також виходить схема 4-4-3-15 (збігається з заявленою виробником), проте профілі EPP також дещо різняться за значеннями інших таймінгів на кшталт t WR і t RC . Як би там не було, «оптимальним» профілем обрано профіль №1.
Вміст SPD модулів OCZ DDR2 PC2-7200 (включаючи розширення EPP) явно відрізняється від вмісту SPD (і EPP) розглянутих вище модулів OCZ DDR2 PC2-6400. Так чи інакше, в обох випадках спостерігаються неточності, а то й очевидні помилки. Таким чином, підхід компанії OCZ до програмування даних SPD виявляється досить своєрідним, якщо не сказати - дуже недбалим. Насамкінець, розглянемо вміст SPD останнього представника - модулів OCZ DDR2 PC2-8000, який представлений лише «стандартною» частиною через відсутність підтримки розширень EPP.
OCZ DDR2 PC2-8000
| Параметр | Байт | Значення | Розшифровка |
|---|---|---|---|
| Фундаментальний тип пам'яті | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
| Загальна кількість адресних ліній рядка модуля | 3 | 0Eh | 14 (RA0-RA13) |
| Загальна кількість адресних ліній стовпця модуля | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
| Загальна кількість фізичних банків модуля пам'яті | 5 | 61h | 2 фізичні банки |
| Зовнішня шина даних модуля пам'яті | 6 | 40h | 64 біт |
| Рівень напруги живлення | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| Мінімальна тривалість періоду синхросигналу (t CK) за максимальної затримки CAS# (CL X) | 9 | 25h | 2.50 нс (400.0 МГц) |
| Тип конфігурації модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| Тип та спосіб регенерації даних | 12 | 82h | 7.8125 мс - 0.5x скорочена саморегенерація |
| Ширина зовнішнього інтерфейсу шини даних (тип організації) мікросхем пам'яті, що використовуються | 13 | 08h | x8 |
| Ширина зовнішнього інтерфейсу шини даних (тип організації) мікросхем пам'яті ECC-модуля, що використовуються. | 14 | 00h | НЕ визначено |
| Тривалість пакетів, що передаються (BL) | 16 | 0Ch | BL = 4, 8 |
| Кількість логічних банків кожної мікросхеми у модулі | 17 | 04h | 4 |
| Тривалість затримки CAS# (CL), що підтримується. | 18 | 38h | CL = 5, 4, 3 |
| Мінімальна тривалість періоду синхросигналу (tCK) при зменшеній затримці CAS# (CL X-1) | 23 | 30h | 3.00 нс (333.3 МГц) |
| Мінімальна тривалість періоду синхросигналу (tCK) при зменшеній затримці CAS# (CL X-2) | 25 | 37h | 3.70 нс (270.3 МГц) |
| Мінімальний час підзарядки даних у рядку (t RP) | 27 | 32h | 12.5 нс 5.00, CL = 5 4.17, CL = 4 3.37, CL = 3 |
| Мінімальна затримка між активізацією сусідніх рядків (t RRD) | 28 | 28h | 10.0 нс 4.00, CL = 5 3.33, CL = 4 2.70, CL = 3 |
| Мінімальна затримка між RAS# та CAS# (t RCD) | 29 | 32h | 12.5 нс 5.00, CL = 5 4.17, CL = 4 3.37, CL = 3 |
| Мінімальна тривалість імпульсу сигналу RAS # (t RAS) | 30 | 25h | 37.0 нс 14.80, CL = 5 12.33, CL = 4 10.00, CL = 3 |
| Ємність одного фізичного банку модуля пам'яті | 31 | 80h | 512 МБ |
| Період відновлення після запису (t WR) | 36 | 3Ch | 15.0 нс 6.00, CL = 5 5.00, CL = 4 4.05, CL = 3 |
| Внутрішня затримка між командами WRITE та READ (t WTR) | 37 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.50, CL = 4 2.02, CL = 3 |
| Внутрішня затримка між командами READ та PRECHARGE (t RTP) | 38 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.50, CL = 4 2.02, CL = 3 |
| Мінімальний час циклу рядка (t RC) | 41, 40 | 36h, 00h | 54.0 нс 21.60, CL = 5 18.00, CL = 4 14.59, CL = 3 |
| Період між командами саморегенерації (t RFC) | 42, 40 | 69h, 00h | 105.0 нс 42.00, CL = 5 35.00, CL = 4 28.38, CL = 3 |
| Максимальна тривалість періоду синхросигналу (t CK max) | 43 | 80h | 8.0 нс |
| Номер ревізії SPD | 62 | 12h | Ревізія 1.2 |
| Контрольна сума байт 0-62 | 63 | DAh | 218 (вірно) |
| Ідентифікаційний код виробника JEDEC | 64-71 | 7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh, B0h | OCZ |
| Part Number модуля | 73-90 | - | OCZ2TA1000VX21G |
| Дата виготовлення модуля | 93-94 | 00h, 00h | НЕ визначено |
| Серійний номер модуля | 95-98 | 00h, 00h, 00h, 00h | НЕ визначено |
Вміст SPD цих модулів приблизно збігається з таким для першого зразків, що вивчаються - модулів OCZ DDR2 PC2-6400. Підтримувані значення затримки сигналу CAS# становлять 5, 4 і 3. Перше значення (CL X = 5) відповідає період синхросигналу 2.5 нс (частота 400 МГц), тобто. режим DDR2-800 Схема таймінгів для цього випадку записується у вигляді 5-5-5-14.8 (5-5-5-15). Зменшеній величині затримки CAS# (CL X-1 = 4) відповідає режим DDR2-667 (час циклу 3.0 нс, частота 333.3 МГц) зі схемою таймінгів 4-4.17-4.17-12.33 (4-5-5-13). Нарешті, двічі зменшеної величини затримки CAS# (CL X-2 = 3) відповідає дещо хибний, але поширений запис режиму DDR2-533 з часом циклу 3.7 нс (частота 270.3 МГц). Схема таймінгів для цього випадку – 3-3.37-3.37-10.0 (3-4-4-10).
Ідентифікаційний код виробника та Part Number модуля вказані правильно; дані про дату виготовлення та серійний номер модуля відсутній.Конфігурація тестового стенду
Стенд №1
- Процесор: AMD Athlon 64 X2 4800+ (Socket AM2), номінальна частота 2.4 ГГц (200 x12)
- Чіпсет: NVIDIA nForce 590 SLI
- Материнська плата: ASUS CROSSHAIR, версія BIOS 0502 від 01/02/2007
Випробування модулів OCZ проводилося на платформі AMD ( процесор Athlon 64 X2 4800+) з материнською платою ASUS CROSSHAIR(), що підтримує стандарт EPP. У всіх випадках випробування модулів проводилися у двох режимах:
1. Номінальний: штатна частота процесора, частота пам'яті 400 МГц (DDR2-800), стандартне налаштуванняПідсистеми пам'яті за даними SPD інформація профілів EPP не використовується.
2. Оптимальний, відповідний використанню "оптимального" профілю EPP, що допускає розгін процесора (до 15%) для досягнення максимальної рекомендованої частоти пам'яті. Для модулів OCZ DDR2 PC2-8000, які не підтримують EPP, налаштування частоти процесора та пам'яті в цьому випадку проводилося вручну.
OCZ DDR2 PC2-6400
| Параметр | ||
|---|---|---|
| Частота процесора, МГц (Частота FSB x FID) | 2400 (200x12) | 2400 (200x12) |
| Частота пам'яті, МГц (DDR2 МГц) | 400 (800) | 400 (800) |
| 5-5-5-15-2T, 1.8 V | 4-4-4-15-1T, 2.0 – 2.3 V |
|
| 4-4-3-2T, 2.2 V | - | |
| Середня ПСП читання (ГБ/с), 1 ядро | 3.94 (4.06) | - |
| Середня ПСП на запис (ГБ/с), 1 ядро | 3.27 (3.10) | - |
| Макс. ПСП на читання (ГБ/с), 1 ядро | 7.84 (7.99) | - |
| Макс. ПСП на запис (ГБ/с), 1 ядро | 6.94 (6.93) | - |
| Середня ПСП читання (ГБ/с), 2 ядра | 6.65 (6.98) | - |
| Середня ПСП на запис (ГБ/с), 2 ядра | 3.96 (4.05) | - |
| Макс. ПСП на читання (ГБ/с), 2 ядра | 8.65 (9.33) | - |
| Макс. ПСП на запис (ГБ/с), 2 ядра | 6.46 (6.61) | - |
| 28.1 (26.7) | - | |
| 80.7 (78.4) | - | |
* Розмір блоку 32 МБ
Почнемо з розгляду результатів тестування модулів пам'яті OCZ DDR2 PC2-6400, для яких виробником заявлено функціонування в режимі DDR2-800 з таймінгами 4-4-4-15 та, що найважливіше, затримками командного інтерфейсу 1T. Стандартні таймінги для цих модулів, як видно з наведеної вище таблиці, що виставляються BIOS материнськоїплати за замовчуванням, становлять 5-5-5-15-2T, які швидкісні показники перебувають у рівні, типовому для DDR2-800 за даної частоті процесора (2.4 ГГц). Підняття напруги живлення до 2.2 V дозволяє знизити схему таймінгів до 4-4-3 (як і переважна більшість інших модулів DDR2, розглянуті модулі не чутливі до зміни останнього стандартного параметра схеми таймінгів t RAS), однак величина затримок командного інтерфейсу на рівні 2T. Спроби використання жорсткішої схеми таймінгів 4-3-3-2T, а також режиму 1T при будь-яких значеннях таймінгів призводили до виникнення помилок підсистеми пам'яті.
Таким чином, модулі OCZ DDR2 PC2-6400, розраховані на функціонування в режимі DDR2-800 4-4-4-15-1T, виявилися нездатними на роботу в такому режимі. Не врятувало положення та використання даних профілю EPP (не дивно, адже вміст EPP у даних модулях представлений лише одним «скороченим» профілем, що не дозволяє налаштувати додаткові тонкі параметри тимчасового та електричного характеру), навіть при спробі підняття напруги живлення аж до 2.3 V.
OCZ DDR2 PC2-7200
| Параметр | ||
|---|---|---|
| Частота процесора, МГц (Частота FSB x FID) | 2400 (200x12) | 2736 (228x12) |
| Частота пам'яті, МГц (DDR2 МГц) | 400 (800) | 456 (912) |
| Таймінги за промовчанням, напруга | 5-5-5-15-2T, 1.8 V | 4-4-3-15-2T, 2.2 V |
| Мінімальні таймінги пам'яті, напруга | 4-3-3-1T, 2.3 V | - |
| Середня ПСП читання (ГБ/с), 1 ядро | 3.94 (4.12) | 4.56 |
| Середня ПСП на запис (ГБ/с), 1 ядро | 3.30 (3.42) | 3.84 |
| Макс. ПСП на читання (ГБ/с), 1 ядро | 7.83 (8.13) | 9.04 |
| Макс. ПСП на запис (ГБ/с), 1 ядро | 6.94 (6.79) | 7.88 |
| Середня ПСП читання (ГБ/с), 2 ядра | 6.65 (7.14) | 7.79 |
| Середня ПСП на запис (ГБ/с), 2 ядра | 3.93 (4.51) | 4.82 |
| Макс. ПСП на читання (ГБ/с), 2 ядра | 8.69 (9.82) | 10.26 |
| Макс. ПСП на запис (ГБ/с), 2 ядра | 6.46 (6.69) | 7.52 |
| Мінімальна латентність псевдовипадкового доступу (нс) | 28.1 (25.7) | 23.9 |
| Мінімальна латентність випадкового доступу * (нс) | 80.2 (78.3) | 67.9 |
* Розмір блоку 32 МБ
При запуску модулів OCZ DDR2 PC2-7200 у штатному режимі DDR2-800 материнська плата ASUS CROSSHAIR, що бере участь у наших тестах, як і в попередньому випадку, також виставляє схему таймінгів 5-5-5-15-2T. Швидкісні показники модулів PC2-7200 у цьому режимі близькі до швидкісних показників модулів PC2-6400, розглянутих вище. Найбільш цікаво те, що при піднятті напруги модулів (до 2.3 V) вони дозволяють досягти схему таймінгів 4-4-3 при величині затримок командного інтерфейсу 1T, чим різко відрізняються від розглянутих вище модулів PC2-6400, для яких режим 1T заявлено офіційно( !). Більш того, у нашому випадку виявилося можливим запустити модулі, що розглядаються, і при схемі таймінгів 3-3-3-1T, проте це призводило до виникнення помилок.
Застосування "оптимального" профілю EPP призвело до виставлення частоти "системної шини" процесора 228 МГц, що відповідає частоті шини пам'яті 228x2 = 456 МГц (режим "DDR2-912", дещо завищений у порівнянні з номінальним "DDR2-900") при частоті приблизно 2.74 ГГц (для стабільності, напруга на ядрі процесора було вручну піднято рівня 1.5 V). Застосовувана схема таймінгів при цьому склала значення 4-4-3-15-2T, що відповідають заявленим виробником. Розглянуті модулі пам'яті виявилися працездатними в такому режимі, проте подальше зменшення таймінгів (крім параметра t RAS, що ігнорується), а також зниження затримок командного інтерфейсу до 1T призводило до непрацездатності підсистеми пам'яті.
OCZ DDR2 PC2-8000
| Параметр | ||
|---|---|---|
| Частота процесора, МГц (Частота FSB x FID) | 2400 (200x12) | 2500 (250x10) |
| Частота пам'яті, МГц (DDR2 МГц) | 400 (800) | 500 (1000) |
| Таймінги за промовчанням, напруга | 5-5-5-15-2T, 1.8 V | 5-5-5-15-2T, 2.3 V |
| Мінімальні таймінги пам'яті, напруга | 4-3-3-1T, 2.3 V | 4-4-4-2T, 2.3 V |
| Середня ПСП читання (ГБ/с), 1 ядро | 3.90 (4.13) | 4.35 (4.48) |
| Середня ПСП на запис (ГБ/с), 1 ядро | 3.28 (3.33) | 3.61 (3.75) |
| Макс. ПСП на читання (ГБ/с), 1 ядро | 7.79 (8.13) | 8.40 (8.50) |
| Макс. ПСП на запис (ГБ/с), 1 ядро | 6.94 (6.79) | 7.19 (7.21) |
| Середня ПСП читання (ГБ/с), 2 ядра | 6.60 (7.14) | 7.52 (7.79) |
| Середня ПСП на запис (ГБ/с), 2 ядра | 4.08 (4.46) | 4.70 (5.11) |
| Макс. ПСП на читання (ГБ/с), 2 ядра | 8.61 (9.82) | 10.37 (11.01) |
| Макс. ПСП на запис (ГБ/с), 2 ядра | 6.48 (6.70) | 6.92 (7.04) |
| Мінімальна латентність псевдовипадкового доступу, нс | 28.6 (25.7) | 24.5 (23.2) |
| Мінімальна латентність випадкового доступу *, нс | 80.6 (78.4) | 72.1 (67.8) |
* Розмір блоку 32 МБ
При експлуатації останніх з модулів OCZ DDR2 PC2-8000, що розглядаються нами, в офіційному режимі DDR2-800 на материнській платі ASUS CROSSHAIR за замовчуванням також вибирається схема таймінгів 5-5-5-15-2T. Як і у випадку модулів PC2-7200 (але не PC2-6400), збільшення напруги модулів до 2.3 V дозволяє знизити цю схему до значень 4-3-3 (подальше зниження до 3-3-3 призводить до виникнення помилок), а величину затримок командного інтерфейсу – до 1T. Швидкісні показники модулів PC2-8000 і PC2-7200 у разі практично збігаються.
Оскільки модулі OCZ DDR2 PC2-8000 не підтримують розширення EPP, режим DDR2-1000 був встановлений вручну за рахунок збільшення частоти «системної шини» до 250 МГц для досягнення частоти шини пам'яті 500 МГц при частоті процесора 2.5 ГГц (250x10). Мінімальна схема таймінгів, яку вдалося досягти в цих умовах, склала 4-4-4-2T при напругі живлення модулів 2.3 V, що збігається зі значеннями, заявленими виробником (спроба виставлення нижчих значень практично моментально призводила до непрацездатності системи).
Протестовані представники модулів пам'яті високошвидкісних серій від OCZ – PC2-6400, PC2-7200 та PC2-8000 справили досить неоднозначні враження. Найменш приємні з них полягають у досить недбалому підході виробника до програмування вмісту SPD (зокрема, розширень EPP), що може позначитися на сумісності модулів пам'яті з різними материнськими платами. Більш того, перший з цих представників - модулі пам'яті PC2-6400 - виявилися непрацездатними в штатному режимі при величині затримок командного інтерфейсу 1T, офіційно заявленої виробником (принаймні, на материнській платі ASUS CROSSHAIR, що використовується нами). З приємних моментів можна відзначити працездатність двох інших представників - модулів серії PC2-7200 SLI-Ready Edition і PC2-8000 Titanium Alpha VX2 в штатному режимі DDR2-800 при досить екстремальній схемі таймінгів 4-3-3 і величині затримок командного інтерфейсу , що не типово більшість 2-ГБ двухканальных комплектів модулів пам'яті на платформі AMD «AM2». У той же час, у «неофіційних» режимах («DDR2-900» та «DDR2-1000», відповідно) модулі цих серій, мабуть, виявляються розігнаними до краю, оскільки подальше зменшення схеми таймінгів, а також зниження затримок командного інтерфейсу до 1T неможливо. Однак саме собою стійке функціонування модулів PC2-7200 і PC2-8000 в максимально швидкісних режимах, враховуючи ситуацію з модулями PC2-6400, що вже виникла, вже можна вважати плюсом цих серій продукції компанії OCZ.
З виходом доступних рішень на базі мікроархітектури Nehalem пам'ять стандарту DDR2 остаточно втратить свою актуальність і згодом повністю піде зі сцени, як це сталося з першим типом DDR. Оверклокерський потенціал присутніх нині на ринку модулів бажає кращого і практично нічим не відрізняється у рішень різних виробників. Іноді трапляються цікаві продукти за помірними цінами, здатні працювати на досить високих частотах, але це швидше виняток, ніж явище, що має масовий характер. Звісно, для розкриття можливостей сучасних процесорів Core 2 необхідно нівелювати стримуючий чинник як слабкого розгону пам'яті, тому перехід до DDR3 більш ніж виправданий. Але це за умови наявності материнської плати, здатної стабільно функціонувати на підвищеній частотішини FSB. Для Core i7 новий стандарт пам'яті є єдиним варіантом, а зміна платформи у AMD поки що менш виправдана. Згодом, звичайно, ситуація зміниться на краще, поки можна відштовхуватися від своїх переваг і можливостей, вибираючи одну з платформ з пам'яттю DDR3.
У цьому матеріалі ми познайомимося з трьома комплектами пам'яті DDR3 з робочою частотою 1600 МГц і загальним обсягом 4 ГБ кожен від відомої компанії OCZ.
Як ви вже зрозуміли, набори не призначені для роботи в складі системи на базі Core i7, який через обмеження контролера пам'яті розрахований на напругу живлення високочастотних модулів всього 1,65 В. Комплекти, що розглядаються, функціонують при напрузі 1,9 В і без проблем можуть бути встановлені на плати для процесорів Core 2 або AMD із підтримкою даного типу.
OCZ OCZ3X16004GK (Intel Extreme Series, PC2-12800, 2x2GB)
Першим розглянемо комплект OCZ3X16004GK із серії Intel Extreme (XMP Edition), розрахований для платформи LGA775 з підтримкою технології XMP (eXtreme Memory Profiles) — аналога EPP, але для пам'яті DDR3. Звичайно, пам'ять може працювати і без цієї функції, тільки налаштування таймінгів і напруги живлення доведеться зробити вручну.
Модулі поставляються в невеликому блістері, із синім вкладишем-інструкцією з встановлення пам'яті в систему.
Модулі виконані на PCB чорного кольору і оснащені фірмовими чорними радіаторами XTC (Xtreme Thermal Convection), які виконані у вигляді сіточки, що запевняє виробника, ефективність охолодження мікросхем пам'яті. На кожній стороні радіатора є логотип Intel Core 2 Extreme.
Конструкція радіатора не цілісна - він складається з алюмінієвої сітки та обідка, приклеєного такою ж термолипучкою, що і основна частина радіатора до чіпів пам'яті.
З розпізнавальних знаків на PCB можна виявити HJ M1 94V-0, що нічого спільного немає з BrainPower, друкарські плативід якої використовуються для овекрлокерських модулів.
На етикетці також мінімум інформації: робоча частота 1600 МГц, загальний обсяг комплекту 4 ГБ, таймінги 7-7-7-24 (інформацію про tRAS взято з офіційного сайту компанії) та напругу 1,9 В.
А ось SPD куди докладніше може розповісти про пам'ять. При завантаженні системи по дефолту планки визначаться як DDR3-1066 із затримками 7-7-7-16 та напругою 1,5 В. При активації профілю XMP, яких до того ж два, пам'ять вже працюватиме на своїй номінальній частоті з таймінгами 7- 7-7-28 і напругою 1,9 (профіль Enthusiast). Наша випробувальна плата ASUS P5E3 Deluxe WiFi-AP на базі чіпсета Intel X38 Express для цього підняла частоту шини FSB та знизила коефіцієнт множення процесора Core 2 E8500, що дало підсумкові 3,2 ГГц на ньому.
Якщо необхідна більш висока частота, можна активувати профіль Extreme і модулі зможуть функціонувати на 1777 МГц із затримками 9-9-9-32. Також доступні в обох випадках різні комбінації частот та таймінгів.
OCZ OCZ3P16004GK (Platinum Series, PC2-12800, 2x2GB)
Комплект OCZ3P16004GK є представником старої серії Platinum і поставляється в такому самому блістері, що й попередній набір, але вже з іншим вкладишем.
Чорні модулі оснащені звичайними полірованими радіаторами, з обох боків яких красується буква Z з невеликою цифрою 3.
Конструкція радіатора все та ж: сіточка та обідок, з'єднані термолипучкою.
За характеристиками дана пам'ятьнічим не відрізняється від модулів Intel Extreme та розрахована на частоту 1600 МГц з таймінгами 7-7-7-24 та напругу 1,9 В.
У SPD прописані лише стандартні затримки та частоти до 1066 МГц. Жодного профілю XMP немає, і для роботи на заявлених характеристиках всі необхідні налаштування доведеться зробити самому.
Цікаво, що у SPD прописані ще одні значення таймінгів для частоти 1200 МГц, які можна побачити утилітою MemSet.
OCZ OCZ3RPR16004GK (Reaper HPC Series, PC2-12800, 2x2GB)
І останній комплект - OCZ3RPR16004GK, вже відноситься до серії Reaper, з якою ми познайомилися в недавньому матеріалі, присвяченому пам'яті DDR2 від OCZ. Модулі упаковані у великий блістер з аналогічною інструкцією, що і набір старого стандарту.
Планки виконані на чорній PCB, кожна з яких оснащена фірмовим радіатором із тепловою трубкою, що передає тепло додатковому радіатору невеликого розміру.
Основний радіатор складається з двох половинок - до однієї кріпиться теплова трубкаа інша являє собою звичайну алюмінієву пластину. Вся конструкція з'єднана двома гвинтами та додатково приклеєна з обох боків до чіпів пам'яті.
Друкована плата, на відміну від доступніших модулів, від BrainPower (на кожній планці можна знайти маркування B63URCBB 0.70), яка використовується для виробництва 1600-мегагерцової пам'яті об'ємом 2 ГБ.
Характеристики цього комплекту такі ж, як і у пам'яті серії Intel Extre та Platinum: загальний об'єм 4 гігабайти, робоча частота 1600 МГц, таймінги 7-7-7-24 та напруга живлення 1,9 В.
Інформація в SPD така сама, як і у модулів Platinum Edition, без будь-яких змін.
Фактично, у разі доводиться переплачувати за імениту PCB і ефективнішу систему охолодження.
Тестова конфігурація та методика розгону
Наша тестова конфігурація мала такий вигляд:
- Процесор Intel Core 2 Duo E8500 (3,16 ГГц, 6 МБ, FSB 333 МГц);
- Материнська платня: ASUS P5E3 Deluxe WiFi-AP (Intel X38);
- Відеокарта: ASUS EN8800GS TOP (GeForce 8800GS 384MB);
- Кулер: Noctua NH-U12P;
- Жорсткий диск: Samsung SP2504C (250 ГБ, SATA2);
- Блок живлення: Tagan BZ 1300W (1300 Вт).
Параметри Static Read Control і Transaction Booster в BIOS Setup плативідключалися, рівень «Relax Level» виставлявся на значенні 4 (також використовувалися різні значення, якщо із зазначеним не досягався бажаний результат), що дозволяло отримати Performance Level, що дорівнює 8 або 9. Напруга на чіпсеті становила 1,45 В, на шині FSB - 1,4 В. Інші налаштування — за замовчуванням. Під час тестування модулі обдувалися 120 мм вентилятором.
Розгінний потенціал з'ясовувався для трьох наборів таймінгів: 7-7-7-21, 8-8-8-24 та 9-9-9-27. на Наразічасу є найактуальнішими. Параметр Command Rate дорівнював 1T.
Результати розгону
Комплект пам'яті OCZ3X16004GK при таймінгах 7-7-7-21 та напрузі 1,9 В зміг стабільно функціонувати на частоті 1665 МГц. Після підвищення напруги до 2 В поріг відсунувся вже до 1701 МГц, що цілком непогано. Наступний за списком набір підвищення напруги не реагував, яке підсумкова частота становила 1693 МГц. Для "ріпера" результат дорівнював лише 1645 МГц, а після підвищення напруги частота піднялася ще на 44 МГц, що вкрай мало в порівнянні з більш доступними комплектами.
Із затримками виду 8-8-8-24 та 9-9-9-27 комплекти OCZ3P16004GK та OCZ3RPR16004GK працювати відмовилися, а от перший зміг пройти тест на частоті 1709 МГц. Другий профіль XMP, доступний у пам'яті серії Intel Extreme, також виявився не працездатним. Можливо, 1700 МГц є межею для чіпів, але дивна поведінка пам'яті з менш агресивними затримками дозволяє думати про якусь несумісність пам'яті з материнською платою, що використовується в тестовому стенді.
Підсумки
Починаючи з цього матеріалу, на сторінках нашого сайту ми все більше будемо приділяти увагу пам'яті DDR3, що набирає популярності, яка за останній рік досить знизилася в ціні, щоб можна було її рекомендувати для будівництва не тільки hi-end-системи, але ПК середнього рівня. А враховуючи, що її підтримуватимуть невдовзі вже чотири платформи, висновок про зміну пріоритету тестування напрошується сам собою. Звичайно, деякі рішення застарілого типу ми іноді тестуватимемо, але, швидше за все, за рідкісним винятком, оскільки потенціал їх давно вивчений і останнім часом вони нічим особливим здивувати вже не можуть.
Що стосується розглянутих комплектів пам'яті, то при таймінгах 7-7-7-21 вони показали дуже непогані результати близько 1650-1700 МГц. Даної частоти достатньо для розгону будь-якого процесора або підвищення швидкодії системи. Але з великими затримками пам'ять чомусь геть-чисто відмовилася працювати. Швидше за все, проблема криється або в межах самих чіпів, адже вони і так працюють на своїй номінальній частоті 1600 МГц при напрузі 1,9, або в тестовій материнській платі.
Дякуємо наступним компаніям за надане тестове обладнання:
- Eletek за комплекти пам'яті OCZ OCZ3X16004GK, OCZ3P16004GK та OCZ3RPR16004GK;
- ASUS за материнську плату ASUS P5E3 Deluxe WiFi-AP;
- Майстер груп за відеокарту ASUS EN8800GS TOP 384MB;
- MaxPoint за блок живлення Tagan BZ 1300W;
- Noctua за кулер Noctua NH-U12P та термопасту Noctua NT-H1.
Помітили помилку? Виділіть фрагмент тексту та натисніть CTRL+ENTER!
"КомпаніяOCZTechnology Group була створена ентузіастами та для ентузіастів", - такими словами зустрічає нас офіційний сайт виробника. Комплект пам'яті, що потрапив у нашу тестову лабораторію, служить "типовим" прикладом цієї концепції. Але назвати продукцію OCZ, будь то найдешевша оперативна пам'ять або топовий блок живлення, "типовою" буде великою помилкою Будь-який виріб з логотипом "OCZ" напевно виявиться неабияким як у плані дизайну, так і в плані. технічних характеристик(ну і, звичайно, ціна його помітно вибиватиметься зі звичайних рамок;)).
Тепер (якщо ви ще не були знайомі з цим брендом), коли у вас сформувалося перше враження, настав час приступати до самого об'єкта розповіді.
Цей набір PC2-8500 знаходиться в середині цілої лінійки пам'яті OCZ Blade Series. Серія включає як повільніші набори (PC-6400 або DDR2-800), так і більш швидкі (PC-9600 або DDR2-1200), а також модулі, що працюють на зниженій напрузі живлення. Досліджуваний набір призначений для "помірних ентузіастів", якщо так можна виразитися, оскільки ще відповідає верхній стандартній планці частоти для пам'яті DDR2 згідно з рекомендаціями JEDEC. Нагадаємо, Joint Electronic Device Engineering Council (JEDEC) - Об'єднана інженерна рада з електронним пристроямСША. Та й загальна ємність складає 4 GB, що стало розумною величиною для сучасного продуктивного комп'ютера.
Зустрічаємо по одягу: дизайн та упаковка
Постачання всіх комплектів OCZ Blade здійснюється в пластикових блістерах, що дозволяють легко розглянути модулі. Тут ми згадаємо про кілька ознак оригінальних комплектів OCZ, щоб ви могли на першому етапі вибору пам'яті переконатися в тому, що не маєте справи з підробкою.
Перша ознака – це якісна поліграфія на упаковці.
Друга ознака - інформаційний стікер, наклеєний на кожен модуль, на якому легко помітні голографічні емблеми OCZ, причому навіть через пластик боксу.
Третя ознака – наявність захисної плівкина логотипі на модулі радіатора. Ці три риси дозволять переконатися, напевно, у справжній приналежності продукту бренду OCZ.
Планки пам'яті виконані на чорному текстоліті (зустрічаються ще на зеленому) і "одягнуті" у такі ж чорні кожухи радіатора. Конструкція теплорозсіювачів розбірна на двох гвинтах.
Матеріал, з якого виготовлені радіатори, цілком стандартний - це метал алюмінію. А ось сама конструкція зависока, так що на системних платахз близьким розташуванням слотів пам'яті до процесорному сокетуможуть виникнути проблеми із встановленням деяких габаритних кулерів. Приблизно наполовину висоти самого модуля вгору виходить "гребінка" радіатора. Форми радіаторів у різних моделейпам'яті навіть усередині лінійки Blade відрізняються, але загалом приналежність однієї серії легко простежується.
На кожному модулі знаходиться по 16 мікросхем DRAM, що також цілком звичайне явище для 2 GB планок.
Проводжаємо за розумом: характеристики та розгінний потенціал
Маркування, що міститься на стікерах модулів - OCZ2D1066LV4GK - нами було розшифровано (відразу обмовимося, офіційний сайт виробника не надає інформації щодо цього) наступним чином:
- OCZ – виробник пам'яті;
- 2D – двостороннє розміщення мікросхем пам'яті на модулі;
- 1066 – ефективна частота, МГц;
- LV - Low Voltage, знижена напруга живлення (насправді даний набірне повинен ставитись до цієї категорії, але нижче будуть наведені докази нашому припущенню);
- 4GK - 4 Gigabyte Kit, набір із загальною ємністю 4 GB.
А ось інформаційна утиліта CPU-Z каже, що у мікросхемі SPD пам'яті замість стандартного значення PC-8500 (1066 МГц DDR) міститься нестандартний профіль PC-8900 (1110 МГц DDR).
Тут міститься перше підтвердження належності тестованого набору OCZ до категорії енергоефективної пам'яті: напруга живлення, що рекомендується, навіть для самого швидкісного режиму PC-8900 з таймінгами 5-5-5-18 складає всього 1.8 В. Таке ми бачимо вперше. І тут виявляється невідповідність цієї інформації з даними на стікерах модулів, які повідомляють, що при більш низькій швидкості PC-8500 і тих же таймінгах 5-5-5-18 напруга живлення повинна становити 2.2 В.
Забігаючи наперед, скажімо, що відомості, що містяться в SPD, були підтверджені на практиці під час вимірювання розгінного потенціалу. Пам'ять OCZ легко запрацювала на відповідній частоті із зазначеними таймінгами та напругою живлення.
Методика тестування пам'яті вже встояла, і в нас накопичена деяка база даних з різного потенціалу різної оперативної пам'ятістандарту DDR2.
Було обрано кілька поєднань значень таймінгів і напруги живлення, щоб всебічно окреслити потенціал модулів, що розглядаються. Отже, розгін здійснювався з наступними налаштуваннями:
- основні таймінги 5-5-5-18 (CL-RCD-RP-RAS);
- 6-7-7-25 (CL-RCD-RP-RAS;
- 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS).
Кожен набір таймінгів поєднувався з двома значеннями напруги живлення - 1.8 В. та відносно безпечних 2.2 В. Значення таймінгу, що сильно впливає на продуктивність підсистеми пам'яті, Command Rate - 2T.
Для перевірки стабільності у розігнаному стані використовувалася утиліта Prime95 v.25.11:
Як показує практика, модулі пам'яті різних виробників, навіть з ідентичними паспортними характеристиками, по-різному поводяться в розгоні. Одні дуже чуйно реагують на підвищення напруги живлення, інші - ні, треті дозволяють сильно підняти частоту, лише на один крок "послабивши" таймінги, ну і так далі ... Тому всі обрані для сьогоднішнього порівняння суперники OCZ Blade відповідають їй як за швидкістю роботи, так та за сукупним обсягом. Зустрічаємо:
1) Elixir M2Y2G64TU8HD5B-BD:
Найдешевший комплект із усіх учасників, він навіть не оснащений радіаторами. Більш докладно з ним можна познайомитися зі статті.
2) GOODRAM PRO GP1066D264L5/4GDC:
Досі цей набір був лідером із сукупності своїх розгінних характеристик. також нещодавно було опубліковано на нашому порталі.
Нижче наведено їх основні характеристики.
|
Модель |
OCZ Blade Series OCZ2D1066LV4GK |
Elixir M2Y2G64TU8HD5B-BD |
GOODRAM PRO GP1066D264L5/4GDC |
|
Виробник |
OCZ Technology |
Nanya Technology |
Wilk Elektronik S.A. |
|
Набір 2x2 GB |
2 планки по 2 GB |
набір 2x2 GB |
|
|
PC2-8500 (DDR2 1066) |
PC2-8500 (DDR2 1066) |
PC2-8500 (DDR2 1066) |
|
|
Напруга живлення |
|||
|
Підтримка ECC/Buffered* |
|||
|
Особливості |
Розбірний алюмінієвий радіатор |
Алюмінієвий радіатор |
|
|
Середня роздрібна вартість |
$100-125 |
||
